[發明專利]具有高反向阻斷性能肖特基二極管及其制造方法

無效

• 申請號: 201110344162.3
• 申請日: 2011-11-04
• 公開（公告）號: CN102354704A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發明（設計）人: 楊建勛;張子剛
• 申請（專利權）人: 丹東安順微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329
• 代理公司: 丹東匯申專利事務所 21227
• 代理人: 徐楓燕

1.一種具有高反向阻斷性能肖特基二極管，其管芯構造組成：包括重摻雜硅晶襯底(5)，重摻雜硅晶襯底上形成作為漂移區的輕摻雜外延層(4)，漂移區內制有P型結構區，其特征在于P型結構區是由P型環(3)和均勻間隔分布于P型環內外延層的P型點陣(7)構成，P型環內的外延層表面具有肖特基勢壘接觸的金屬層(8)，P型結構區表面具有歐姆金屬接觸的金屬層(9)，管芯上、下表面制作引出電極，P型環外緣設有鈍化層(2)。

2.根據權利要求1所述的具有高反向阻斷性能肖特基二極管，其特征在于P型點陣的各相鄰P型點最近處之間的間距為5-10um。

3.根據權利要求1所述的具有高反向阻斷性能肖特基二極管，其特征在于肖特基接觸金屬層(8)為0.5um。

4.根據權利要求1所述的具有高反向阻斷性能肖特基二極管，其特征在于歐姆接觸的金屬層(9)厚度為0.5um，

5.用于得到權利要求1所述的具有高反向阻斷性能肖特基二極管的制造方法，其特征在于其方法是：重摻雜硅晶襯底上外延工藝生長輕摻雜外延層，經氧化及光刻在外延層有源區分割出包括P型環和P型環內的P型點陣的P型結構區窗口，離子注入形成PN結，在表面制有第一次金屬化形成歐姆金屬接觸的金屬層(9)，在該金屬層光刻出與外延層有源區相對應的窗口，第二次金屬化形成肖特基接觸金屬層(8)，制成管芯，管芯上、下外表面制有金屬引出電極。

6.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于肖特基接觸金屬層(8)厚度為0.5um。

7.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于歐姆接觸金屬層(9)的制成金屬材料選用Ti、Al、Ni或者含Ti、Al、Ni的合金。