[發明專利]一種在雙軸織構NiW合金基片上制備高溫超導涂層導體NiO/SmBiO3復合緩沖層薄膜的方法

無效

• 申請號: 201110343728.0
• 申請日: 2011-11-02
• 公開（公告）號: CN102683572A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 張欣;趙勇;程翠華;張勇;雷鳴;王文濤
• 申請（專利權）人: 西南交通大學
• 主分類號: H01L39/24
• 分類號: H01L39/24
• 代理公司: 成都信博專利代理有限責任公司 51200
• 代理人: 張澎

1.一種在雙軸織構NiW合金基片上制備高溫超導涂層導體NiO/SmBiO3復合緩沖層薄膜的方法，其復合緩沖層制備步驟包含：

a、NiW合金基片的表面腐蝕修飾：將退火處理后雙軸織構NiW合金基片，先后經過酒精，丙酮清洗后，在稀釋后濃度為30％-50％的硝酸溶液中懸空浸漬40-120s，取出洗凈，晾干。再將其在150體積的雙氧水和1-4體積氨水的配置的混合修飾液中懸空浸漬20-60s，取出，洗凈，晾干；

b、氧化熱處理：將管式氣氛燒結爐快速升溫到740-800℃，當溫度和通入氣氛氣流量穩定后，再將腐蝕修飾后的NiW合金基片推入爐中，當基帶在爐中的時間達到20-50分鐘后，將氧化后的基帶從爐中推出，冷卻至室溫；

c、SmBiO3緩沖層膠體制備：將前驅物Sm和Bi的硝酸鹽按離子濃度1∶1溶于適量的聚丙烯酸PAA中，得到有機物體系的溶液中離子濃度約為c(Sm3+)＝c(Bi3+)＝0.20M；

d、SmBiO3緩沖層涂敷，干燥與分解：將c步制得的膠體涂覆在制得的NiO緩沖層上，進行干燥；再將其置于燒結爐中，使爐溫從室溫緩慢升至180℃-230℃，并以0.1-2℃/min的速度升至在280℃-300℃，然后再以0.1-1℃/min的速度升至480℃-500℃，保溫0.5小時；

e、燒結成相：將上述d步所制得的基片放入燒結爐中，在空氣中將爐溫快速以10-100℃/min的速度升至770℃-810℃，保溫1-1.5小時；再讓爐溫緩慢降至室溫，最終得到NiO/SmBiO3復合緩沖層。

2.如權利要求1所述的一種在雙軸織構NiW合金基片上制備高溫超導涂層導體NiO/SmBiO3復合緩沖層薄膜的方法，其特征是：所述b步中氧化熱處理的具體做法為：將管式氣氛燒結爐快速升溫到所述溫度，當溫度和通入氣氛的氣流量穩定后，再將腐蝕修飾后的NiW合金基片推入爐中，當基片在爐中的時間達到所述氧化熱處理的時間后，將氧化后的基片從爐中推出，冷卻至室溫。

3.如權利要求1所述的一種在雙軸織構NiW合金基片上制備高溫超導涂層導體NiO/SmBiO3復合緩沖層薄膜的方法，其特征是，所述d步中，膠體涂覆在制得的NiO緩沖層基片上的具體作法為：將膠體滴在基片上，用勻膠機旋轉，使膠體均勻涂敷在基片上。

4.如權利要求1所述一種在雙軸織構NiW合金基片上制備高溫超導涂層導體NiO/SmBiO3復合緩沖層薄膜的方法，其特征是，所述d步中干燥時的溫度為100℃-200℃干燥。