[發明專利]基于耐高電壓跨接器的滅磁保護電路及耐高電壓跨接器有效
| 申請號： | 201110342805.0 | 申請日： | 2011-11-03 |
| 公開（公告）號： | CN102386827A | 公開（公告）日： | 2012-03-21 |
| 發明（設計）人： | 李宇俊 | 申請（專利權）人： | 東方電氣集團東方電機有限公司;東方電機控制設備有限公司 |
| 主分類號： | H02P9/12 | 分類號： | H02P9/12;H02H7/06 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214 | 代理人： | 詹永斌;錢成岑 |
| 地址： | 618000 *** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 電壓 跨接器 保護 電路 | ||
1.一種耐高電壓跨接器，其特征在于，包括二極管、可控硅、電阻與觸發控制器，所述二極管數量為至少1只，可控硅的數量為1只，電阻的數量為二極管與可控硅數量之和，觸發控制器數量為1；
所述二極管與可控硅依次串聯，且各個二極管的極性朝向一致；
各二極管及可控硅的兩端分別并聯有一只電阻，
所述觸發控制器與可控硅的控制端連接。
2.根據權利要求1所述的一種耐高電壓跨接器，其特征在于，所述二極管為電流為3500A，正反向阻斷電壓為5200V的二極管。
3.根據權利要求1所述的一種耐高電壓跨接器，其特征在于，所述可控硅為電流為3500A，正反向阻斷電壓為5200V的可控硅。
4.根據權利要求1所述的一種耐高電壓跨接器，其特征在于，所述各個電阻為阻值為10KΩ的均壓電阻。
5.基于權利要求1~4中任意一項所述耐高電壓跨接器的滅磁保護電路，包括勵磁整流裝置、磁場斷路器、發電機磁場繞組與耗能元件，其中勵磁整流裝置、磁場斷路器與發電機磁場繞組串聯成回路，其特征在于，還包括耐高電壓跨接器；所述耐高電壓跨接器與耗能元件串聯后一同并聯于發電機磁場繞組的兩端；
所述耐高電壓跨接器包括二極管、可控硅、電阻與觸發控制器，所述二極管數量為至少1只，可控硅的數量為1只，電阻的數量為二極管與可控硅數量之和，觸發控制器數量為1；
所述二極管與可控硅依次串聯，且極性朝向一致；
各二極管及可控硅的兩端分別并聯有一只電阻；
所述觸發控制器與可控硅的控制端連接。
6.根據權利要求5所述的滅磁保護電路，其特征在于，具有至少1個所述耐高電壓跨接器，各個耐高電壓跨接器相互并聯后再與耗能元件串聯。
7.根據權利要求6所述的滅磁保護電路，其特征在于，所述耐高電壓跨接器的一端與發電機磁場繞組的正極相連，另外一端與耗能元件的一端相連，耗能元件的另一端與發電機磁場繞組的負極相連，耐高電壓跨接器中的二極管的正極均朝向發電機磁場繞組的正極。
8.根據權利要求5或6或7所述的滅磁保護電路，其特征在于，所述耐高電壓跨接器中的二極管為電流為3500A，正反向阻斷電壓為5200V的二極管。
9.根據權利要求5或6或7所述的滅磁保護電路，其特征在于，所述耐高電壓跨接器中的可控硅為電流為3500A，正反向阻斷電壓為5200V的可控硅。
10.根據權利要求5或6或7所述的滅磁保護電路，其特征在于，所述耐高電壓跨接器中的各個電阻為阻值為10KΩ的均壓電阻。
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