[發(fā)明專利]一種用于顯示重摻N型直拉硅單晶空洞型缺陷的腐蝕液有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110342033.0 | 申請日: | 2011-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN102507293A | 公開(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 馬向陽;徐濤;楊德仁 | 申請(專利權)人: | 浙江大學 |
| 主分類號: | G01N1/32 | 分類號: | G01N1/32;G01N21/95 |
| 代理公司: | 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224 | 代理人: | 胡紅娟 |
| 地址: | 310027 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 顯示 型直拉硅單晶 空洞 缺陷 腐蝕 | ||
技術領域
本發(fā)明屬于半導體技術領域,尤其涉及一種用于顯示重摻N型直拉硅單晶空洞型缺陷的腐蝕液。
背景技術
單晶硅中的空洞型缺陷(Void)是由空位的聚集而形成的,它們的存在不僅會使柵氧化物的完整性(GOI)受到嚴重破壞,還會造成PN結漏電、槽型電容短路或絕緣失效等問題,從而降低集成電路的成品率。因此需要一種簡單快捷的方式來顯示單晶硅中的空洞型缺陷,以控制這種有害缺陷。
一般說來,空洞型缺陷依據檢測方法不同而表現出不同的形式,分別稱為:Crystal?Originated?Particle(COP),Flow?Pattern?Defect(FPD)和Light?Scattering?Tomography?Defect(LSTD)。
(1)COP是Void缺陷經過RCA一號液(氨水,雙氧水,去離子水的混合溶液且其體積比為1∶1∶5)處理后出現的小腐蝕坑,它們在激光掃描顆粒度儀器的測試中表現為顆粒的形式。AFM觀察結果表明:COP是大小在100-200nm左右的凹坑。
(2)FPD的檢測方法為:將硅片垂直浸入Secco溶液(由0.15mol/LK2Cr2O7和49%HF按體積比1∶2混合制成)中腐蝕10-30分鐘,腐蝕液與硅在Void處反應產生的氫氣泡,影響了Secco溶液的垂直流動,從而產生了V字型的圖形花樣,由此形象地把它們稱為流動圖形缺陷。
(3)LSTD通常是由紅外激光散射斷層譜(IR-LST)檢測到的一種光點形式的缺陷。由于此方法很難將大直徑直拉硅中的Void和氧沉淀區(qū)分出來,所以用于研究Void時,需加上熒光光譜(PL)等相關輔助工具,所以測試手段繁雜,一般很少用于直拉硅中Void的研究。
使用擇優(yōu)腐蝕液來表征空洞型缺陷是一種簡單快捷的方法,因此獲得廣泛使用。對于輕摻硅片來說,目前一般采用標準的Secco液來腐蝕顯示硅片中的FPDs,但是對于重摻硅片來說,由于載流子濃度增加導致腐蝕速率加快,使得硅單晶中正常晶格位置和缺陷位置的腐蝕速率相接近,從而削弱了擇優(yōu)腐蝕效果。因而,適用于輕摻硅片的缺陷擇優(yōu)腐蝕液往往不適用于重摻硅片。為此,很有必要開發(fā)一種適合于重摻雜硅單晶中空洞型缺陷的顯示劑。
對于CrO3-HF-H2O體系,傳統(tǒng)的腐蝕液有如下三種:Sirtl液(Sirtl,E.,t?ADLER,A.(1961).Z.Metallk,1961.52:p.529.)、Schimmel液(Schimmel,D.G.,Defect?etch?for<100>silicon?evaluation.Journal?of?the?Electrochemical?Society,1979.126(3):p.479-483.)和yang液(Yang,K.H.,An?Etch?for?Delineation?of?Defects?in?Silicon.Journal?of?The?Electrochemical?Society,1984.131(5):p.1140-1145.)。
Sirtl液含有:5mol/L的三氧化鉻溶液,氫氟酸(質量濃度49%),其體積比為1∶1。它可以用來顯示位錯、層錯以及氧沉淀,對(111)面效果最好。
Schimmel液:對于電阻率大于0.2Ω·cm的硅片,含有1.0mol/L的三氧化鉻溶液,氫氟酸(質量濃度49%),其體積比為1∶2;對于電阻率小于0.2Ω·cm的硅片,含有1.0mol/L的三氧化鉻溶液,氫氟酸(質量濃度49%),去離子水,其體積比為1∶2∶1.5。它適用于顯示(111)、(100)面的位錯、層錯以及氧沉淀。
yang液含有:1.5mol/L的三氧化鉻溶液,氫氟酸(質量濃度49%),且其體積比為1∶1。它適用于顯示(111)、(100)、(110)面的位錯、層錯以及氧沉淀。
上述三種基于CrO3-HF-H2O體系的擇優(yōu)腐蝕液是針對硅單晶中的位錯、層錯以及氧沉淀等缺陷而發(fā)明的,不適用于硅單晶中空洞型缺陷的顯示。
發(fā)明內容
本發(fā)明提供了一種用于顯示重摻N型直拉硅單晶空洞型缺陷的腐蝕液,該腐蝕液可用于電阻率低至0.7mΩ·cm的<100>或<111>晶向重摻N型直拉硅單晶中空洞型缺陷的顯示,腐蝕效果好,腐蝕速度快,且顯示圖像清晰易辨。
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