[發明專利]一種低壓高匹配度CMOS恒定電流源電路

有效

• 申請號: 201110341199.0
• 申請日: 2011-11-02
• 公開（公告）號: CN102395234A
• 公開（公告）日: 2012-03-28
• 發明（設計）人: 鞠建宏;劉楠
• 申請（專利權）人: 帝奧微電子有限公司
• 主分類號: H05B37/02
• 分類號: H05B37/02;G05F3/24
• 代理公司: 上海宏威知識產權代理有限公司 31250
• 代理人: 金利琴

1.一種低壓高匹配度CMOS恒定電流源電路，其特征在于：其為適用于低壓恒流LED的驅動電路，其包括鏡像電流源電路，保證鏡像電流源電路穩定的補償電容和提供鏡像電流源電路高電流匹配精度的輔助放大器。

2.根據權利要求2所述的低壓高壓配度CMOS恒定電流源電路，其特征在于：所述鏡像電流源包括一第一N型場效應晶體管和一第二N型場效應晶體管，所述第一N型場效應晶體管和所述第二N型場效應晶體管的共用相同的柵極并連接到輔助放大器的輸出端，所述第一N型場效應晶體管的漏極分別與所述輔助放大器的正向輸入端和參考電源相連；所述第二N型場效應晶體管的漏極分別與輔助放大器的負向輸入端和需供電的LED燈的負向端相連；所述LED燈和所述參考電源共同連接到電源上，所述電容跨接在第一N型場效應晶體管的柵極和漏極之間。

3.根據權利要求3所述的低壓高匹配度CMOS恒定電流源電路，其特征在于：所述輔助放大器包括一作為其正向輸入端的第三N型場效應晶體管的源極和一作為其反向輸入端的第四N型場效應晶體管；所述第三N型場效應晶體管漏極和一第二P型場效應晶體管漏極相連接作為所述輔助放大器的輸出端；一第一P型場效應晶體管、第二P型場效應晶體管和一第三P型場效應晶體管的源極均與供電電源連接；參考電源則串接在零電位和第一P型場效應晶體管的柵極之間。

4.根據權利要求1所述的低壓高匹配度CMOS恒定電流源電路，其特征在于：所述補償電容為設于N阱中的N型場效應晶體管電容,該N型場效應晶體管的漏極和源極相連并連接到襯底。