[發明專利]一種異質結太陽能電池的界面處理技術

無效

• 申請號: 201110341023.5
• 申請日: 2011-11-02
• 公開（公告）號: CN102386253A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 張群芳
• 申請（專利權）人: 北京匯天能光電技術有限公司
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04;H01L31/18;C23C16/455
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種采用氫原子處理技術的硅異質結太陽電池，其特征在于：它采用硅薄膜/晶硅異質結結構，襯底采用N型晶體硅片，晶硅表面采用氫原子處理，背表面沉積硅薄膜作為鈍化層，并在其上沉積導電層作為背電極，正表面沉積p型摻雜硅薄膜或本征緩沖層和p型摻雜作為發射區，在P型薄膜層上沉積透明導電層，并在透明導電膜上設置電極。

2.如權利要求1所述的N型晶體硅片可以是單晶也可以是多晶硅片。

3.如權利要求1所述的晶硅表面采用氫原子處理指在沉積系統中利用反應氣體分解基元H與晶硅表面進行相互作用。

4.如權利要求3所述的沉積系統可以是射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF-PECVD)系統，也可以是甚高頻等離子體增強化學氣相沉積(VHF-PECVD)系統，還可以是熱絲化學氣相沉積(HWCVD)系統。

5.如權利要求3所述的氫原子處理晶硅表面技術在工藝上采用所有可調參數的優化值。

6.如權利要求1所述的背表面鈍化層可以是重摻雜n型硅薄膜，也可以是本征層和重摻雜n型薄膜組成的雙層或多層硅膜結構。

7.如權利要求1所述的背電極可以是金屬鋁膜，也可以是摻雜ZnO膜，還可以是透明導電膜與金屬鋁膜形成的多層膜。

8.如權利要求1所述的正面膜結構，其特征在于：p型發射區可以是p型摻雜硅薄膜，也可以是緩沖過渡層與p型摻雜硅薄膜形成的雙層或多層硅薄膜。

9.如權利要求1所述的在透明導電膜設置電極指采用絲網印刷制備前電極。