[發(fā)明專利]碘化銫和摻鉈碘化銫單晶的坩堝下降法生長工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110340816.5
• 申請日: 2011-11-02
• 公開（公告）號: CN102383195A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 唐華純;李國榮;曹家軍;吳中元
• 申請（專利權(quán)）人: 上海御光新材料科技有限公司
• 主分類號: C30B29/12
• 分類號: C30B29/12;C30B11/00
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所 31219
• 代理人: 許亦琳;余明偉

1.一種碘化銫單晶的坩堝下降法生長工藝，包括以下步驟：

1)將原料碘化銫于195～205℃脫OH^-后，真空干燥，然后裝入坩堝內(nèi)抽真空并密封；

2)將裝料后的坩堝置于下降爐中，進行熔料，控制熔料溫度為700～750℃；熔料結(jié)束后開始晶體生長，使坩堝勻速向下移動并通過下降爐內(nèi)溫度為600～650℃的區(qū)域，下降速度為1.5～3.0mm/h，晶體生長界面溫度梯度為28～32℃/cm；晶體生長結(jié)束后，以30～50℃/h的速率降溫至室溫；取出坩堝，將晶體從坩堝中剝離，得到碘化銫單晶。

2.如權(quán)利要求1所述的碘化銫單晶的坩堝下降法生長工藝，其特征在于，所述原料碘化銫為純度不低于99.999％的高純碘化銫顆粒料或摻鉈碘化銫。

3.如權(quán)利要求2所述的碘化銫單晶的坩堝下降法生長工藝，其特征在于，所述摻鉈碘化銫中摻雜800ppm～1500ppm的碘化鉈。

4.如權(quán)利要求1所述的碘化銫單晶的坩堝下降法生長工藝，其特征在于，所述坩堝為內(nèi)壁鍍有碳膜的石英坩堝。

5.如權(quán)利要求4所述的碘化銫單晶的坩堝下降法生長工藝，其特征在于，所述坩堝的底部為平底或錐底。

6.如權(quán)利要求5所述的碘化銫單晶的坩堝下降法生長工藝，其特征在于，使用平底坩堝進行有籽晶或無籽晶生長。

7.如權(quán)利要求1所述的碘化銫單晶的坩堝下降法生長工藝，其特征在于，步驟1)中，所述坩堝內(nèi)抽真空至真空度為1.0×10^-2Pa以上。

8.如權(quán)利要求1-7任一所述的碘化銫單晶的坩堝下降法生長工藝，其特征在于，所述下降爐的爐膛內(nèi)沿軸向分成高、中、低三個溫度區(qū)：高溫區(qū)的溫度控制在700～750℃，中溫區(qū)的溫度控制在600～650℃，低溫區(qū)控制在300～350℃。

9.如權(quán)利要求8所述的碘化銫單晶的坩堝下降法生長工藝，其特征在于，步驟2)中，所述熔料于高溫區(qū)內(nèi)進行，所述晶體生長于中溫區(qū)內(nèi)進行，晶體生長結(jié)束后位于低溫區(qū)中保溫。

10.如權(quán)利要求8所述的碘化銫單晶的坩堝下降法生長工藝，其特征在于，所述下降爐內(nèi)設(shè)置多個放置坩堝的等效工位。