[發明專利]用于光刻機透鏡熱效應測量的測試標記及其測量方法有效
| 申請號: | 201110340789.1 | 申請日: | 2011-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN103091993A | 公開(公告)日: | 2013-05-08 |
| 發明(設計)人: | 宋平;趙健;馮盛;馬明英 | 申請(專利權)人: | 上海微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20;G01M11/02 |
| 代理公司: | 北京連和連知識產權代理有限公司 11278 | 代理人: | 王光輝 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 光刻 透鏡 熱效應 測量 測試 標記 及其 測量方法 | ||
1.一種測試標記,其特征在于,
所述測試標記為正方形;
所述測試標記中心為透光方孔,由中心向外依次為具有一定寬度的方框;
從所述透光方孔至最外側方框,透光區和非透光區交替;
從最外側透光方框至所述透光方孔,所述透光區面積逐漸增大。
2.根據權利要求1所述的測試標記,其特征在于,所述透光方孔的面積不低于所述測試標記面積的四分之一。
3.根據權利要求1所述的測試標記,其特征在于,所述最外側透光方框的尺寸與光刻機分辨率相近。
4.根據權利要求1所述的測試標記,其特征在于,從所述最外側透光方框至所述透光方孔,所述透光區面積成等比增大。
5.根據權利要求1所述的測試標記,其特征在于,多個所述測試標記在掩模上呈矩陣陣列分布,用于測量場曲和像散的熱效應。
6.一種使用權利要求1所述測試標記的光刻機透鏡熱效應測量方法,所述測試標記位于掩模上,所述測試標記通過光束照射經由投影物鏡在工件臺上形成測試標記像,光強傳感器用于探測所述測試標記像處的光強,包括以下步驟:
對所述光強與所述投影物鏡焦面漂移的關系進行預標定;
進行熱效應測量,包括在所述透鏡加熱或者冷卻過程中,在需要進行焦面數據采集的時刻,所述光強傳感器對所述光強進行采樣,直至測量結束;
確定所述熱效應測量中的各時刻焦面漂移數據,擬合計算出透鏡熱效應雙指數模型的參數。
7.根據權利要求6所述的測量方法,其特征在于,所述預標定包括以下步驟:
步驟一,上載所述掩模,移動所述工件臺至名義焦面位置;
步驟二,在所述名義焦面位置附近的焦深范圍內軸向移動所述工件臺,所述光強傳感器對所述光強連續采樣;
步驟三,記錄第一組所述光強和所述工件臺的第一組軸向位置,獲得第一實測焦面;
步驟四,以所述第一實測焦面作為步驟一的所述名義焦面,重復所述步驟一至步驟三,記錄第二組所述光強和所述工件臺的第二組軸向位置;
步驟五,將所述第二組軸向位置均減去所述第一實測焦面,獲得所述第二組所述光強與焦面漂移的關系。
8.根據權利要求6所述的測試方法,其特征在于,所述確定所述熱效應測量中的各時刻焦面漂移數據的方法為通過所述預標定的所述光強與所述投影物鏡焦面漂移的關系,利用三次樣條插值而得到。
9.根據權利要求6所述的測量方法,其特征在于,所述測試標記的尺寸與所述光強傳感器的光敏直徑大小相近。
10.根據權利要求6所述的測量方法,其特征在于,所述掩模除所述測試標記外的區域均為透光區。
11.根據權利要求6所述的測量方法,其特征在于,所述測試標記為多個,多個所述測試標記在所述掩模上呈矩陣陣列分布。
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