[發明專利]刻蝕溝槽多晶硅柵的方法

有效

• 申請號: 201110340515.2
• 申請日: 2011-11-01
• 公開（公告）號: CN103094087A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 金勤海;周穎;康志瀟
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/3065
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 張驥

1.一種刻蝕溝槽多晶硅柵的方法，其特征在于，包括以下步驟：

第一步，在硅襯底正面上方的外延層刻蝕溝槽，生長柵氧化層，然后淀積多晶硅；

第二步，采用各向同性干法刻蝕多晶硅，刻蝕過程中垂直向下的刻蝕速率與水平方向的刻蝕速率相同或者接近；

第三步，采用各向異性干法刻蝕多晶硅，將多晶硅回刻至溝槽頂部，使溝槽外的多晶硅被刻蝕干凈；刻蝕過程中垂直向下的刻蝕速率大于水平方向的刻蝕速率。

2.根據權利要求1所述的刻蝕溝槽多晶硅柵的方法，其特征在于，所述第二步中垂直向下的刻蝕速率小于水平方向的刻蝕速率的二倍。

3.根據權利要求1或2所述的刻蝕溝槽多晶硅柵的方法，其特征在于，所述第三步中垂直向下的刻蝕速率大于水平方向的刻蝕速率的二倍。