[發(fā)明專(zhuān)利]降低外延薄膜缺陷的退火方法及利用該方法得到的外延薄膜無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110340512.9 | 申請(qǐng)日： | 2011-11-01 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102969241A | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-03-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 宋健民;林逸樵 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 錸鉆科技股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L21/324 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L21/324;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;張英 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 降低 外延 薄膜 缺陷 退火 方法 利用 得到 | ||
1.一種降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，對(duì)由氣相沉積工藝成長(zhǎng)在基材上的外延薄膜施以介于10MPa至6,000MPa之間的壓力，并加熱所述外延薄膜至低于所述外延薄膜的熔點(diǎn)的溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述氣相沉積工藝為金屬有機(jī)化合物氣相沉積工藝。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述壓力是利用均壓法或單軸加壓法施加于所述外延薄膜的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述基材選自由藍(lán)寶石、碳化硅、氮化鎵及硅組成的組。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述外延薄膜為氮化鎵或硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述基材具有介于420μm至440μm之間的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述外延薄膜具有介于2μm至7μm之間的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述壓力使用傳壓介質(zhì)施加于所述外延薄膜，所述傳壓介質(zhì)選自由石墨粉、六方晶系氮化硼粉、二硫化鉬粉、滑石粉、葉臘石粉、石灰粉、白云石粉及食鹽組成的組。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述外延薄膜處于氣氛環(huán)境，所述氣氛環(huán)境選自由氮?dú)狻⒌獨(dú)浠旌蠚狻鍤狻鍤浠旌蠚庖约暗獨(dú)寤旌蠚饨M成的組。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述外延薄膜處于震蕩環(huán)境。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述外延薄膜在所述溫度保持大于1分鐘的退火時(shí)間。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述退火時(shí)間介于5分鐘至10小時(shí)之間。
13.一種具有低缺陷密度的外延薄膜，其以氣相沉積工藝成長(zhǎng)在基材上，其特征在于，所述外延薄膜經(jīng)退火處理，所述退火處理是加熱所述外延薄膜至低于所述外延薄膜的熔點(diǎn)的溫度并對(duì)所述外延薄膜施加介于10MPa至6,000MPa之間的壓力。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有低缺陷密度的外延薄膜，其特征在于，所述氣相沉積工藝為金屬有機(jī)化合物氣相沉積工藝。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有低缺陷密度的外延薄膜，其特征在于，所述壓力是利用均壓法或單軸加壓法施加于所述外延薄膜的。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有低缺陷密度的外延薄膜，其特征在于，所述基材選自由藍(lán)寶石、碳化硅、氮化鎵及硅組成的組。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有低缺陷密度的外延薄膜，其特征在于，所述外延薄膜為氮化鎵或硅。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有低缺陷密度的外延薄膜，其特征在于，所述基材具有介于420μm至440μm之間的厚度。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有低缺陷密度的外延薄膜，其特征在于，所述外延薄膜具有介于2μm至7μm之間的厚度。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有低缺陷密度的外延薄膜，其特征在于，所述壓力是使用傳壓介質(zhì)施加于所述外延薄膜的，所述傳壓介質(zhì)選自由石墨粉、六方晶系氮化硼粉、二硫化鉬粉、滑石粉、葉臘石粉、石灰粉、白云石粉及食鹽組成的組。
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