[發明專利]降低外延薄膜缺陷的退火方法及利用該方法得到的外延薄膜無效
| 申請號： | 201110340512.9 | 申請日： | 2011-11-01 |
| 公開（公告）號： | CN102969241A | 公開（公告）日： | 2013-03-13 |
| 發明（設計）人： | 宋健民;林逸樵 | 申請（專利權）人： | 錸鉆科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/324 | 分類號： | H01L21/324;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;張英 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 降低 外延 薄膜 缺陷 退火 方法 利用 得到 | ||
1.一種降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，對由氣相沉積工藝成長在基材上的外延薄膜施以介于10MPa至6,000MPa之間的壓力，并加熱所述外延薄膜至低于所述外延薄膜的熔點的溫度。
2.根據權利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述氣相沉積工藝為金屬有機化合物氣相沉積工藝。
3.根據權利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述壓力是利用均壓法或單軸加壓法施加于所述外延薄膜的。
4.根據權利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述基材選自由藍寶石、碳化硅、氮化鎵及硅組成的組。
5.根據權利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述外延薄膜為氮化鎵或硅。
6.根據權利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述基材具有介于420μm至440μm之間的厚度。
7.根據權利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述外延薄膜具有介于2μm至7μm之間的厚度。
8.根據權利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述壓力使用傳壓介質施加于所述外延薄膜，所述傳壓介質選自由石墨粉、六方晶系氮化硼粉、二硫化鉬粉、滑石粉、葉臘石粉、石灰粉、白云石粉及食鹽組成的組。
9.根據權利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述外延薄膜處于氣氛環境，所述氣氛環境選自由氮氣、氮氫混合氣、氬氣、氬氫混合氣以及氮氬混合氣組成的組。
10.根據權利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述外延薄膜處于震蕩環境。
11.根據權利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述外延薄膜在所述溫度保持大于1分鐘的退火時間。
12.根據權利要求11所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述退火時間介于5分鐘至10小時之間。
13.一種具有低缺陷密度的外延薄膜，其以氣相沉積工藝成長在基材上，其特征在于，所述外延薄膜經退火處理，所述退火處理是加熱所述外延薄膜至低于所述外延薄膜的熔點的溫度并對所述外延薄膜施加介于10MPa至6,000MPa之間的壓力。
14.根據權利要求13所述的具有低缺陷密度的外延薄膜，其特征在于，所述氣相沉積工藝為金屬有機化合物氣相沉積工藝。
15.根據權利要求13所述的具有低缺陷密度的外延薄膜，其特征在于，所述壓力是利用均壓法或單軸加壓法施加于所述外延薄膜的。
16.根據權利要求13所述的具有低缺陷密度的外延薄膜，其特征在于，所述基材選自由藍寶石、碳化硅、氮化鎵及硅組成的組。
17.根據權利要求13所述的具有低缺陷密度的外延薄膜，其特征在于，所述外延薄膜為氮化鎵或硅。
18.根據權利要求13所述的具有低缺陷密度的外延薄膜，其特征在于，所述基材具有介于420μm至440μm之間的厚度。
19.根據權利要求13所述的具有低缺陷密度的外延薄膜，其特征在于，所述外延薄膜具有介于2μm至7μm之間的厚度。
20.根據權利要求13所述的具有低缺陷密度的外延薄膜，其特征在于，所述壓力是使用傳壓介質施加于所述外延薄膜的，所述傳壓介質選自由石墨粉、六方晶系氮化硼粉、二硫化鉬粉、滑石粉、葉臘石粉、石灰粉、白云石粉及食鹽組成的組。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
