[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110340412.6
• 申請(qǐng)日: 2011-11-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103094136A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪中山
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/60
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/60;H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底；所述半導(dǎo)體襯底表面形成有層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層具有至少兩個(gè)溝槽；所述溝槽內(nèi)形成有導(dǎo)電線；

其特征在于，還包括：

形成覆蓋所述層間介質(zhì)層和導(dǎo)電線的種子層；

形成位于所述種子層表面的圖案層，所述圖案層具有第一開(kāi)口，所述第一開(kāi)口位于相鄰兩溝槽間的層間介質(zhì)層上，且所述第一開(kāi)口的寬度小于相鄰兩溝槽之間的距離；

以所述圖案層為掩膜，刻蝕所述種子層和層間介質(zhì)層，形成第二開(kāi)口和位于所述第二開(kāi)口兩側(cè)的犧牲層，所述第二開(kāi)口暴露出所述半導(dǎo)體襯底表面；

去除所述犧牲層，形成空氣間隙；

形成覆蓋所述種子層、且橫跨所述空氣間隙的絕緣層。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，去除所述犧牲層的工藝為各向同性的刻蝕方法。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，去除所述犧牲層的工藝為濕法刻蝕，所述濕法刻蝕采用的化學(xué)試劑為氫氟酸。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，去除所述犧牲層的工藝為干法刻蝕，所述干法刻蝕采用的刻蝕氣體中包括F元素。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述干法刻蝕采用的刻蝕氣體包括SF₆。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，去除所述犧牲層的步驟包括：去除所述犧牲層和部分種子層，使得所述種子層的側(cè)壁與所述層間介質(zhì)層的側(cè)壁相對(duì)齊；或者去除所述犧牲層時(shí)，保留位于所述犧牲層表面的部分種子層。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述空氣間隙的寬度為10-40μm。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述種子層的材料為SiO₂。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述種子層的形成步驟包括：采用TEOS和O₂或O₃反應(yīng)。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述種子層的形成工藝為低溫氧化工藝。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述絕緣層的材料為SiO₂。

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述絕緣層的形成步驟包括：采用TEOS和O₃反應(yīng)。

13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述層間介質(zhì)層的材料為K值小于3.0的低K介質(zhì)材料。

14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述低K介質(zhì)材料中包括C、Si、O和H元素。