[發明專利]半導體處理裝置及處理流體收集方法

有效

• 申請號: 201110340296.8
• 申請日: 2011-11-01
• 公開（公告）號: CN103094152A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 溫子瑛
• 申請（專利權）人: 無錫華瑛微電子技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 無錫互維知識產權代理有限公司 32236
• 代理人: 王愛偉

1.一種半導體處理裝置，其特征在于，其包括：

一用于容納和處理半導體晶圓的微腔室，所述微腔室包括可在一打開位置和關閉位置之間移動的形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，當處于關閉位置時，半導體晶圓安裝于所述上工作表面和所述下工作表面之間形成的空腔內，且與所述上、下工作面之間形成有供處理流體流動的空隙，所述微腔室中還包括至少一個供處理流體進入所述空腔的入口和至少一個供處理流體排出所述空腔的出口，

所述上腔室部的上方與驅動裝置相連或/和下腔室部的下方與驅動裝置相接，所述驅動裝置包括有驅動對應腔室部的不同位置的若干驅動單元，基于所述驅動裝置的驅動使得所述上腔室部的上工作表面或/和下腔室部的下工作表面整體產生傾斜。

2.根據權利要求1所述的半導體處理裝置，其特征在于，所述上腔室部和所述下腔室部均為硬性非彈性材料形成，在所述驅動單元的驅動下上腔室部和所述下腔室部整體傾斜，進而帶動所述上腔室部的上工作表面或/和下腔室部的下工作表面整體產生傾斜。

3.根據權利要求1所述的半導體處理裝置，其特征在于，所述驅動裝置還包括控制單元，所述控制單元可編程地控制所述驅動單元中的一個或者多個，使得所述驅動單元驅動所述上腔室部或下腔室部產生預定傾斜。

4.根據權利要求2或3所述的半導體處理裝置，其特征在于，所述半導體處理裝置還包括下盒裝置，所述下盒裝置包括朝上形成開口的空腔，所述下腔室部被容納于所述空腔內，且所述下工作表面通過所述開口外露于上方，與下腔室部相連的驅動裝置的驅動單元被夾持于所述下腔室部和所述空腔的底壁之間。

5.根據權利要求4所述的半導體處理裝置，其特征在于，所述驅動單元沿所述空腔的底壁和側壁相交的邊緣均勻分布，所述驅動單元為流體驅動器，藉由其中一個或者幾個驅動單元的膨脹和收縮，驅動所述下腔室部發生空間位移而使得所述下工作表面產生預定傾斜。

6.根據權利要求1所述的半導體處理裝置，其特征在于，所述下腔室部包括下工作表面和從所述下工作表面的邊緣向上延伸出的下周邊部分，在所述下工作表面的邊緣或者所述下周邊部分上包括有至少一個供處理流體排出所述空腔的出口。

7.根據權利要求6所述的半導體處理裝置，其特征在于，所述供處理流體排出所述空腔的出口為多個，所述出口沿所述下工作表面的邊緣均勻分布，每個或者部分個出口通過可控閥門與外部預定收集裝置相連。

8.一種處理流體收集方法，應用于權利要求6或7所述的半導體處理裝置，其特征在于，其包括：

在采用一種處理流體對半導體晶圓處理中或處理后，驅動所述下工作表面朝向目標出口產生預定傾斜，以將所述處理流體排出所述空腔。

9.根據權利要求8所述的處理流體收集方法，其特征在于，其還包括：

在采用另一種處理流體將半導體晶圓處理中或處理后，驅動所述下工作表面朝向另一目標出口產生預定傾斜，以將所述處理流體排出所述空腔。