[發(fā)明專利]隔離型高耐壓場效應管及版圖結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110340126.X
• 申請日: 2011-11-01
• 公開（公告）號: CN103094317A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設計）人: 金鋒;董科;董金珠
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/08
• 分類號: H01L29/08;H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種隔離型高耐壓場效應管，其特征在于，

在具有第一導電類型的硅基板襯底(101)上形成一具有與第一導電類型相反的第二導電類型的漂移區(qū)(102)，所述漂移區(qū)(102)中包括漏區(qū)漂移區(qū)(203)，所述漏區(qū)漂移區(qū)(203)由具有第二導電類型的第一有源區(qū)(107)引出形成漏區(qū)(201)，漏區(qū)漂移區(qū)(203)中生成有場氧隔離(105)，場氧隔離(105)的下方形成具有第一導電類型的第一摻雜區(qū)(104)；

所述硅基板襯底(101)中形成具有第一導電類型的阱區(qū)(103)，阱區(qū)(103)由具有第一導電類型的第三有源區(qū)(108)引出，源端由具有第二導電類型的第二有源區(qū)(106)形成，第二有源區(qū)(106)和第三有源區(qū)(108)相連接形成源區(qū)(202)，源區(qū)(202)下方形成有具有第一導電類型的第二摻雜區(qū)(104a)，第二摻雜區(qū)(104a)和場氧隔離(105)下的第一摻雜區(qū)(104)之間有一段距離；

所述源區(qū)(202)位于漂移區(qū)(102)的內部，阱區(qū)(103)與硅基板襯底(101)被漂移區(qū)(102)隔離。

2.根據權利要求1所述的隔離型高耐壓場效應管，其特征在于，

所述場氧隔離(105)靠近源區(qū)(202)的一端上方覆蓋有源區(qū)多晶硅場板(109)，所述源區(qū)多晶硅場板(109)和柵極多晶硅(109a)是同一個多晶硅共同形成柵極，其一端覆蓋在第一摻雜區(qū)(104)靠近源區(qū)(202)的區(qū)域上，另一端覆蓋在第二摻雜區(qū)(104a)靠近漏區(qū)漂移區(qū)(203)的區(qū)域上；

所述場氧隔離(105)靠近漏區(qū)(201)的一端上方覆蓋有漏區(qū)多晶硅場板(110)，所述漏區(qū)多晶硅場板(110)通過金屬場板(112)和第一有源區(qū)(107)相連接；

與金屬場板(111)相距一段距離處設有金屬場板(113)，所述金屬場板(113)和柵極多晶硅連接。

3.根據權利要求1或2所述的隔離型高耐壓場效應管，其特征在于，所述第一導電類型為P型，第二導電類型為N型，或者所述第一導電類型為N型，第二導電類型為P型。

4.一種隔離型高耐壓場效應管的版圖結構，其特征在于，包括漏區(qū)(201)、源區(qū)(202)、漏區(qū)漂移區(qū)(203)、漂移區(qū)(102)、源區(qū)多晶硅場板(109)及柵極多晶硅(109a)和漏區(qū)多晶硅場板(110)，所述源區(qū)多晶硅場板(109)、柵極多晶硅(109a)和漏區(qū)多晶硅場板(110)均為閉合的多邊形結構，且漏區(qū)多晶硅場板(110)位于源區(qū)多晶硅場板(109)及柵極多晶硅(109a)的內部，所述漏區(qū)(201)位于閉合的漏區(qū)多晶硅場板(110)內，漏區(qū)漂移區(qū)(203)位于源區(qū)多晶硅場板(109)及柵極多晶硅(109a)和漏區(qū)多晶硅場板(110)之間，源區(qū)(202)位于閉合的源區(qū)多晶硅場板(109)及柵極多晶硅(109a)外，所述源區(qū)(202)和漏區(qū)(201)位于漂移區(qū)(102)內，源區(qū)(202)與硅基板襯底(101)被漂移區(qū)(102)隔離。

5.根據權利要求1所述的隔離型高耐壓場效應管版圖結構，其特征在于，所述源區(qū)多晶硅場板(109)及柵極多晶硅(109a)為內外雙層U型結構，且內外雙層通過圓弧場板連接；所述漏區(qū)多晶硅場板(110)也為內外雙層U型結構，內外雙層通過圓弧場板連接，且漏區(qū)多晶硅場板(110)位于源區(qū)多晶硅場板(109)及柵極多晶硅(109a)的內外雙層U型結構之間。