[發明專利]用于去除底切的UMB蝕刻方法

有效

• 申請號: 201110340122.1
• 申請日: 2011-11-01
• 公開（公告）號: CN102867757A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 雷弋易;郭宏瑞;劉重希;李明機;余振華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

1.一種方法，包括：

形成襯底上方的凸塊下金屬(UBM)層；

形成所述UBM層上方的掩模，其中，所述掩模覆蓋所述UBM層的第一部分，而所述UBM層的第二部分通過所述掩模中的開口暴露；

在所述開口中和所述UBM層的所述第二部分上形成金屬凸塊；

去除所述掩模；以及

執行激光去除來去除所述UBM層的所述第一部分的部分，從而形成UBM。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述UBM包括鈦層以及處在所述鈦上方的銅種層，并且在所述激光去除的步驟中被去除的所述UBM層的所述第一部分的所述部分包括所述鈦層的部分和所述銅種層的部分；或者

在所述激光去除的步驟之后，所述UBM的所述第一部分的部分未被去除，并且其中，所述UBM包括所述UBM層的所述第二部分和所述UBM層的所述第一部分的剩余部分；以及

所述UBM的所述第一部分的所述剩余部分形成具有基本上均勻寬度的環。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，在大約10毫秒和大約1秒之間的持續時間內進行所述激光去除；或者

使用具有在大約100nm和大約400nm之間的波長的激光束執行所述激光去除；或者

使用具有在大約300毫焦耳/cm²和大約1500毫焦耳/cm²之間的能級的激光束執行所述激光去除。

4.一種方法，包括：

在襯底上方形成金屬焊盤；

在所述金屬焊盤上方形成鈍化層；

在所述鈍化層上方形成鈦阻擋層，并且所述鈦阻擋層延伸進入到所述鈍化層的開口中，從而電連接所述金屬焊盤；

在所述鈦阻擋層上方形成銅種層；

在所述銅種層上方形成掩模，其中，所述掩模覆蓋所述銅種層的第一部分，并且其中，所述銅種層的第二部分未被所述掩模所覆蓋；

在所述銅種層的所述第二部分上形成金屬凸塊；

去除所述掩模，從而暴露出所述銅種層的所述第一部分；以及

將激光束投射在所述金屬凸塊和所述銅種層上。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，在投射所述激光束的步驟之后，去除暴露于所述激光束的所述銅種層的第一部分；以及

在投射所述激光束的步驟之后，去除處在所述銅種層的所述第一部分正下方的所述鈦阻擋層的部分。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，在投射所述激光束的步驟之后，不去除暴露于所述激光束的所述銅種層的第二部分；以及

所述銅種層的所述第二部分形成包圍所述金屬凸塊的環，并且整個所述環的所有部分都具有基本上均勻的寬度。

7.根據權利要求4所述的方法，其中，在大約10毫秒和大約1秒之間的持續時間內投射所述激光束；或者

所述激光束具有在大約100nm和400nm之間的波長；或者

所述激光束具有在大約300毫焦耳/cm²和大約1500毫焦耳/cm²之間的能級。

8.一種集成電路結構，包括：

金屬焊盤，處在襯底上方；

鈍化層，處在所述金屬焊盤上方；

凸塊下金屬(UBM)，處在所述鈍化層上方并且延伸進入到所述鈍化層的開口中，從而電連接至所述金屬焊盤，其中，所述UBM包括：

鈦阻擋層；以及

銅種層，處在所述鈦阻擋層上方；以及

金屬凸塊，處在所述UBM的第一部分上方并且與其垂直重疊，其中，所述UBM進一步包括不與所述金屬凸塊垂直重疊的第二部分。

9.根據權利要求8所述的集成電路結構，其中，所述UBM的所述第二部分形成包圍所述UBM的所述第一部分的環；以及

所述環的所有部分具有基本上均勻的寬度，

所述基本上均勻的寬度在大約1μm和大約10μm之間。

10.根據權利要求8所述的集成電路結構，其中，所述UBM的所述第二部分包括所述鈦層的部分和所述銅種層的部分。