[發(fā)明專利]凸出結(jié)構(gòu)與形成凸出結(jié)構(gòu)的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110340045.X
• 申請(qǐng)日: 2011-11-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102779835A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-11-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭錦德;陳逸男;劉獻(xiàn)文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L21/311
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種凸出結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：

基材；以及

凸出物，位于所述基材上并具有一圓角化的垂直側(cè)壁、一凸出寬度與一凸出長(zhǎng)度，其中所述凸出寬度與所述凸出長(zhǎng)度其中的至少一者具有不大于33nm。

2.如權(quán)利要求1所述的凸出結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基材為半導(dǎo)體基材。

3.如權(quán)利要求1所述的凸出結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸出物包含選自金屬、半導(dǎo)體材料與絕緣材料所組成群組的材料。

4.如權(quán)利要求1所述的凸出結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸出長(zhǎng)度大于所述凸出寬度的至少一倍。

5.如權(quán)利要求1所述的凸出結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸出長(zhǎng)度大約等于所述凸出寬度。

6.如權(quán)利要求1所述的凸出結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸出物具有至少小于所述凸出寬度一半的一凸出高度。

7.如權(quán)利要求1所述的凸出結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸出物形成一柵極結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求1所述的凸出結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸出物形成一微機(jī)電結(jié)構(gòu)。

9.如權(quán)利要求1所述的凸出結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含位于所述基材上的多個(gè)所述凸出物。

10.一種形成一凸出結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，包含：

提供一基材，與位于所述基材上，多個(gè)包含一第一材料并且彼此相隔一預(yù)定距離的一傾斜結(jié)構(gòu)；

形成包含一第二材料的一目標(biāo)層以覆蓋所述基材與所述傾斜結(jié)構(gòu)，其中所述第一材料與所述第二材料各不相同；

進(jìn)行一刻蝕步驟，以部分移除所述目標(biāo)層，而暴露出所述傾斜結(jié)構(gòu)；以及

進(jìn)行一修整步驟，以完全移除所述傾斜結(jié)構(gòu)并部分移除所述目標(biāo)層，而形成具有一圓角、一垂直側(cè)壁、一凸出寬度與一凸出長(zhǎng)度的一凸出物，其中所述目標(biāo)層較所述傾斜結(jié)構(gòu)更容易在所述刻蝕步驟中被刻蝕，而所述凸出寬度與所述凸出長(zhǎng)度其中的至少一者不大于33nm。

11.如權(quán)利要求10所述的形成一凸出結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，更包含：

形成位于所述基材上的一第一材料層；以及

經(jīng)由一第一材料層刻蝕步驟，在一掩膜的存在下部分移除該第一材料層，以形成具有一開(kāi)口大于一底部的至少一凹穴，所述至少一凹穴位于所述傾斜結(jié)構(gòu)之間。

12.如權(quán)利要求11所述的形成一凸出結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述至少一凹穴的所述底部的寬度不大于33nm。

13.如權(quán)利要求10所述的形成一凸出結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述至少一凹穴的所述底部的寬度大于所述凸出寬度。

14.如權(quán)利要求10所述的形成一凸出結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，更包含：

形成一第三材料的一帽蓋層以覆蓋所述傾斜結(jié)構(gòu)，其中所述第一材料、所述第二材料所述第三材料各不相同。

15.如權(quán)利要求14所述的形成一凸出結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，更包含：進(jìn)行所述刻蝕步驟，以完全移除所述帽蓋層。

16.如權(quán)利要求14所述的形成一凸出結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述帽蓋層的厚度大約5nm。

17.如權(quán)利要求10所述的形成一凸出結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述凸出物包含選自由一金屬、一半導(dǎo)體材料與一絕緣材料所組成群組的一材料。

18.如權(quán)利要求10所述的形成一凸出結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述凸出長(zhǎng)度大于所述凸出寬度的至少一倍。

19.如權(quán)利要求10所述的形成一凸出結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述凸出長(zhǎng)度大約等于所述凸出寬度。

20.如權(quán)利要求10所述的形成一凸出結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述凸出物具有至少小于所述凸出寬度一半的一凸出高度。