[發明專利]一維過剩光載流子光子晶體無效
| 申請號： | 201110339781.3 | 申請日： | 2011-11-01 |
| 公開（公告）號： | CN102354062A | 公開（公告）日： | 2012-02-15 |
| 發明（設計）人： | 楊立峰;王亞非;左笑塵;周鷹;高椿明;王占平 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | G02F1/01 | 分類號： | G02F1/01;G02F1/015 |
| 代理公司： | 成都華典專利事務所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 楊保剛;徐豐 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 過剩 載流子 光子 晶體 | ||
【權利要求書】：
1.一種一維過剩光載流子光子晶體，其特征在于：從左至右包括：激發光光源（1）、干涉光路（2）、半導體硅片（3）；
其中，所述激發光光源（1）的激發光經過干涉光路（2）后形成了激發光直線列干涉條紋照射至半導體硅片（3）上，在半導體硅片（3）上形成若干條并列的周期性的折射率凹槽（5）；
所述激發光光源（1）的光子能量大于半導體的禁帶寬度。
2.根據權利要求1所述的一維過剩光載流子光子晶體，其特征在于：所述激發光光源（1）為半導體激光器、氣體激光器或固體激光器。
3.根據權利要求1所述的一維過剩光載流子光子晶體，其特征在于：所述干涉光路（2）為邁克耳遜干涉儀或馬赫-曾德爾干涉儀。
4.根據權利要求1或2或3所述的一維過剩光載流子光子晶體，其特征在于：所述直線列干涉條紋為等距直線列干涉條紋。
5.根據權利要求4所述的一維過剩光載流子光子晶體，其特征在于：所述半導體硅片（3）為重摻雜硅片。
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