[發明專利]芯片接合裝置、芯片接合方法以及芯片接合質量評價設備

無效

• 申請號: 201110339532.4
• 申請日: 2011-10-28
• 公開（公告）號: CN102554388A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 秦英惠;福田正行;市川良雄;牛房信之
• 申請（專利權）人: 株式會社日立高新技術儀器
• 主分類號: B23K3/00
• 分類號: B23K3/00;B23K3/06;H01L21/60
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 丁文蘊;鄭永梅

1.一種芯片接合裝置，形成由焊錫構成的接合部來接合多個被接合部件，其特征在于，

具備：向上述被接合部件提供焊錫的焊錫供給部；

除去提供給上述被接合部件的焊錫的表面的氧化膜的表面凈化機構；以及

進行加熱以使除去了上述氧化膜的焊錫熔化的加熱機構，

在除去上述氧化膜的同時提供上述焊錫。

2.如權利要求1所述的芯片接合裝置，其特征在于，

上述表面凈化機構通過在真空中或大氣壓中進行等離子處理，除去上述氧化膜。

3.如權利要求1所述的芯片接合裝置，其特征在于，

上述表面凈化機構通過在電解液中或具有還原性的溶液中使氧化膜還原，除去上述氧化膜。

4.如權利要求1所述的芯片接合裝置，其特征在于，

上述表面凈化機構利用機械力除去上述氧化膜。

5.如權利要求1至4中任意一項所述的芯片接合裝置，其特征在于，

具備將內部控制成低氧濃度的腔室，

上述焊錫的熔化在上述腔室的內部進行，

上述表面凈化機構設在上述腔室的內部。

6.如權利要求1至4中任意一項所述的芯片接合裝置，其特征在于，

具備將內部控制成低氧濃度的腔室，

上述焊錫的熔化在上述腔室的內部進行，

上述表面凈化機構設在上述腔室的外部。

7.如權利要求6所述的芯片接合裝置，其特征在于，

上述表面凈化機構和上述腔室之間被控制成低氧濃度。

8.如權利要求1至4中任意一項所述的芯片接合裝置，其特征在于，

在焊錫供給單元的前端具備具有凹部的夾具，

除去了上述氧化膜的焊錫，提供給上述夾具與上述被接合部件接觸而由上述凹部與上述被接合部件夾住的部分。

9.如權利要求1至4中任意一項所述的芯片接合裝置，其特征在于，

在上述腔室內進行已提供上述焊錫的被接合部件和另一個被接合部件的接合。

10.如權利要求1至4中任意一項所述的芯片接合裝置，其特征在于，

上述被接合部件包括基板、引線框、半導體芯片中的任意一種。

11.一種芯片接合方法，形成由焊錫構成的接合部來接合多個被接合部件，其特征在于，

包括：除去提供給上述被接合部件的焊錫的表面的氧化膜的表面凈化工序；

將除去了上述氧化膜的焊錫提供到上述被接合部件上的焊錫供給工序；

通過加熱使除去了上述氧化膜的焊錫熔化的加熱工序；以及

使用提供到上述被接合部件上并已熔化的焊錫，與另一個被接合部件接合的接合工序，

在除去上述氧化膜的同時將上述焊錫提供到上述被接合部件上。

12.如權利要求11所述的芯片接合方法，其特征在于，

上述表面凈化工序通過在真空中或大氣壓中進行等離子處理來進行。

13.如權利要求11所述的芯片接合方法，其特征在于，

上述表面凈化工序通過在電解液中或具有還原性的溶液中使氧化膜還原來進行。

14.如權利要求11所述的芯片接合方法，其特征在于，

上述表面凈化工序通過利用機械力除去上述氧化膜來進行。

15.如權利要求11至14中任意一項所述的芯片接合方法，其特征在于，

上述加熱工序及上述接合工序在低氧濃度氣氛下進行。

16.如權利要求15所述的芯片接合方法，其特征在于，

在上述表面凈化工序之后，在上述低氧濃度氣氛下使上述焊錫移動。

17.如權利要求11至14中任意一項所述的芯片接合方法，其特征在于，

在焊錫供給單元的前端具備具有凹部的夾具，

除去了上述氧化膜的焊錫，提供給上述夾具與上述被接合部件接觸而由上述凹部與上述被接合部件夾住的部分。

18.如權利要求11至14中任意一項所述的芯片接合方法，其特征在于，

上述被接合部件包括基板、引線框、半導體芯片中的任意一種。

19.一種芯片接合質量評價設備，用于評價用焊錫接合多個被接合部件的芯片接合過程的質量，其特征在于，

具備：能夠將其內部控制成預定的氣氛、溫度的加熱爐；

設置在上述加熱爐內并向上述被接合部件提供焊錫的焊錫供給機構；以及

在上述被接合部件上的焊錫之上搭載另一個被接合部件的搭載部，

具有觀察機構，該觀察機構觀察作為提供到上述被接合部件上的焊錫的潤濕性的擴展速度、接觸角的變化、或對上述另一個被接合部件的潤濕性。