[發(fā)明專利]成膜裝置和成膜方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110339500.4 | 申請日: | 2011-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN102465276A | 公開(公告)日: | 2012-05-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 中川善之;中野真吾;福田直人 | 申請(專利權(quán))人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/54 | 分類號: | C23C14/54;C23C14/24 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 錢亞卓 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 方法 | ||
1.一種用于在成膜對象物上形成成膜材料的膜的成膜裝置,包括:
成膜源,用于加熱所述成膜材料以及用于釋放出所述成膜材料的蒸氣;
移動部,用于使所述成膜源在預(yù)定成膜待機位置與預(yù)定成膜位置之間移動;
測量用石英振蕩器,用于監(jiān)測從所述成膜源釋放出的所述成膜材料的蒸氣的量;以及
校正用石英振蕩器,用于校正所述測量用石英振蕩器的測量值,
其中,所述移動部保持所述測量用石英振蕩器和所述校正用石英振蕩器。
2.一種成膜方法,包括:
成膜步驟,加熱其內(nèi)包括成膜材料的成膜源以釋放出所述成膜材料的蒸氣,且在采用測量用石英振蕩器監(jiān)測釋放出的所述成膜材料的蒸氣的量的同時在成膜對象物上形成所述成膜材料的膜;
控制步驟,基于所述測量用石英振蕩器的監(jiān)測值調(diào)整所述成膜源的加熱溫度;以及
校正步驟,采用校正用石英振蕩器監(jiān)測釋放出的所述成膜材料的蒸氣的量,并利用所述校正用石英振蕩器的監(jiān)測值校正所述測量用石英振蕩器的監(jiān)測值,其中:
在所述成膜對象物上形成膜的所述成膜步驟當(dāng)中執(zhí)行所述校正步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜方法,所述校正步驟包括:
利用所述測量用石英振蕩器和所述校正用石英振蕩器兩者監(jiān)測釋放出的所述成膜材料的蒸氣量;
利用所述校正用石英振蕩器的監(jiān)測值確定所述成膜材料的膜厚值A(chǔ),以及利用所述測量用石英振蕩器的監(jiān)測值確定所述成膜材料的膜厚值B;以及
采用所述膜厚值A(chǔ)相對于所述膜厚值B的比(A/B)計算校正系數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜方法,其特征在于,采用根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置來執(zhí)行所述成膜方法。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





