[發明專利]成膜裝置無效
| 申請號： | 201110339499.5 | 申請日： | 2011-11-01 |
| 公開（公告）號： | CN102465262A | 公開（公告）日： | 2012-05-23 |
| 發明（設計）人： | 中川善之;中野真吾;福田直人 | 申請（專利權）人： | 佳能株式會社 |
| 主分類號： | C23C14/24 | 分類號： | C23C14/24;C23C14/54;G01G17/02;H05B33/10;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 錢亞卓 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 裝置 | ||
1.一種成膜裝置，包括：
蒸發源，用于加熱成膜材料以及用于釋放出所述成膜材料的蒸氣；
移動部，用于使所述蒸發源相對于成膜對象物在預定成膜待機位置與預定成膜位置之間移動；
測量用石英振蕩器，用于測量形成在所述成膜對象物上的所述成膜材料的量；以及
校正用石英振蕩器，用于校正利用所述測量用石英振蕩器測得的所述成膜材料的量，
其中，所述測量用石英振蕩器和所述校正用石英振蕩器固定在所述蒸發源的所述預定成膜待機位置的上方。
2.根據權利要求1所述的成膜裝置，其特征在于，所述測量用石英振蕩器和所述校正用石英振蕩器固定在從所述蒸發源的中心至所述測量用石英振蕩器和所述校正用石英振蕩器的距離彼此相等且由所述測量用石英振蕩器和所述校正用石英振蕩器與所述蒸發源的中心形成的角度彼此相等的位置。
3.根據權利要求1所述的成膜裝置，還包括用于將所述測量用石英振蕩器的溫度和所述校正用石英振蕩器的溫度控制為基本相同的溫度控制部。
4.根據權利要求1所述的成膜裝置，還包括位于所述校正用石英振蕩器附近的閘門。
5.一種采用根據權利要求1所述的成膜裝置在成膜對象物上形成包括成膜材料的膜的成膜方法，包括：
在所述成膜位置將包括成膜材料的膜沉積到成膜對象物上的步驟；
在所述成膜待機位置將包括所述成膜材料的膜沉積到所述測量用石英振蕩器和所述校正用石英振蕩器上預定時間段的步驟；
測量在所述預定時間段內沉積到所述校正用石英振蕩器和所述測量用石英振蕩器中每個上的包括所述成膜材料的膜的膜厚值的步驟；以及
基于分別從所述校正用石英振蕩器和所述測量用石英振蕩器測得的膜厚值的比，確定用于校正所述測量用石英振蕩器的膜厚的校正系數的步驟。
6.一種采用根據權利要求4所述的成膜裝置在成膜對象物上形成包括成膜材料的膜的成膜方法，包括：
在所述成膜位置將包括所述成膜材料的膜沉積到所述成膜對象物上的步驟；
在所述蒸發源于所述成膜位置移動期間的預定定時使所述閘門處于開放狀態的步驟；
在所述成膜待機位置將包括所述成膜材料的膜沉積到所述測量用石英振蕩器和所述校正用石英振蕩器上預定時間段的步驟；
測量在所述預定時間段內沉積到所述校正用石英振蕩器和所述測量用石英振蕩器中每個上的包括所述成膜材料的膜的膜厚值的步驟；以及
基于分別從所述校正用石英振蕩器和所述測量用石英振蕩器測得的膜厚值的比，確定用于校正所述測量用石英振蕩器的膜厚的校正系數的步驟。
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