[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110339469.4
• 申請日: 2011-11-01
• 公開（公告）號: CN102385207A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發(fā)明（設計）人: 張驄瀧
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括多條相互平行的掃描線、多條與該掃描線垂直絕緣相交的數(shù)據(jù)線、任意兩條相鄰的掃描線與任意兩條相鄰的數(shù)據(jù)線界定的像素單元以及任意兩條相鄰的掃描線之間的電容線，其特征在于，

在電容線上具有沿所述電容線的延伸方向的長形通孔，所述長形通孔位于所述電容線與數(shù)據(jù)線的交叉處，在對應所述長形通孔的兩側孔壁處的電容線的兩側邊具有對稱分布的沿所述數(shù)據(jù)線的延伸方向延伸出的輔助電容線。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，在對應所述長形通孔的兩側孔壁處的電容線的兩側邊分別具有兩條輔助電容線，且位于同側邊上的兩條輔助電容線沿所述數(shù)據(jù)線的延伸方向對稱分布。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述長形通孔沿所述數(shù)據(jù)線對稱，且所述長形通孔的長度大于位于同側邊上的沿所述數(shù)據(jù)線對稱分布的兩條輔助電容線之間的距離。

4.如權利要求1至3中任一項所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述長形通孔為長度方向沿所述電容線延伸方向的矩形通孔。

5.如權利要求4項所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述長形通孔位于所述數(shù)據(jù)線一側的面積s為1≤s≤16，單位為平方微米。

6.一種制造薄膜晶體管陣列基板的方法，其特征在于，所述方法包括：

形成一薄膜晶體管陣列基板，其中，所述薄膜晶體管陣列基板包括多條相互平行的掃描線、多條與該掃描線垂直絕緣相交的數(shù)據(jù)線、任意兩條相鄰的掃描線與任意兩條相鄰的數(shù)據(jù)線界定的像素單元以及任意兩條相鄰的掃描線之間的電容線；

其特征在于，所述方法還包括：

在電容線上形成沿所述電容線的延伸方向的長形通孔，其中，所述長形通孔位于所述電容線與數(shù)據(jù)線的交叉處，對應所述長形通孔的兩側孔壁處的電容線的兩側邊具有對稱分布的沿所述數(shù)據(jù)線的延伸方向延伸出的輔助電容線，以便在所述長形通孔的兩側孔壁和對應該兩側孔壁處的電容線的兩側邊之間形成連接所述電容線與所述輔助電容線的切割部；

檢測所述輔助電容線與所述數(shù)據(jù)線之間是否產生短路；

當檢測到產生短路時，剪切所述切割部，使短路的輔助電容線與電容線之間斷路。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，對應所述長形通孔的兩側孔壁處的電容線的兩側邊分別具有兩條輔助電容線，且位于同側邊上的兩條輔助電容線沿所述數(shù)據(jù)線的延伸方向對稱分布。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述長形通孔沿所述數(shù)據(jù)線對稱，且所述長形通孔的長度大于位于同側邊上的沿所述數(shù)據(jù)線對稱分布的兩條輔助電容線之間的距離。

9.如權利要求6至8任一項所述的方法，其特征在于，所述長形通孔為長度方向沿所述電容線延伸方向的矩形通孔。

10.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述剪切所述切割部包括用激光切割所述切割部。