[發(fā)明專利]支撐單元及具有支撐單元的襯底處理設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110339462.2 | 申請(qǐng)日: | 2011-11-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102456599A | 公開(公告)日: | 2012-05-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李鎮(zhèn)煥;李亨根 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | AP系統(tǒng)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 韓國(guó)京畿道*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 支撐 單元 具有 襯底 處理 設(shè)備 | ||
1.一種支撐單元,用于對(duì)待處理物體進(jìn)行加熱,所述支撐單元包括:
加熱器塊,其經(jīng)配置以對(duì)所述待處理物體進(jìn)行加熱;
傳熱板,其連接到所述加熱器塊的一側(cè);以及
金屬板,其設(shè)置在所述傳熱板與所述待處理物體之間,所述金屬板的一側(cè)連接到所述傳熱板且另一側(cè)連接到所述待處理物體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支撐單元,其進(jìn)一步包括設(shè)置在所述金屬板上的基座。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支撐單元,其中利用石墨基材料、硅基材料、丙烯酸基材料以及尿烷基材料中的一者制造所述傳熱板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支撐單元,其中利用鎢、鉬、鋁、硅、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、銀、錫、鉑、金、汞、鉛、鈾、钚以及包含前述材料中至少一者的合金中的一者制造所述金屬板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支撐單元,其進(jìn)一步包括冷卻塊,連接到所述加熱器塊的另一側(cè)以使得所述加熱器塊冷卻。
6.一種襯底處理設(shè)備,用于處理待處理物體,所述襯底處理設(shè)備包括:
室部分,其經(jīng)配置以提供內(nèi)部空間;
下部支撐單元,其設(shè)置在所述室部分內(nèi)部以支撐下部襯底并對(duì)其進(jìn)行加熱;以及
上部支撐單元,其經(jīng)設(shè)置以對(duì)應(yīng)于下部加熱器從而支撐上部襯底并對(duì)其進(jìn)行加熱,
其中,所述下部支撐單元以及所述上部支撐單元中的每一者均包括經(jīng)配置以對(duì)所述待處理物體進(jìn)行加熱的加熱器塊、連接到所述加熱器塊一側(cè)的傳熱板以及設(shè)置在所述傳熱板與所述待處理物體之間的金屬板,所述金屬板的一側(cè)連接到所述傳熱板且另一側(cè)連接到所述待處理物體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的襯底處理設(shè)備,其中利用石墨基材料、硅基材料、丙烯酸基材料以及尿烷基材料中的一者制造所述傳熱板。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的襯底處理設(shè)備,其進(jìn)一步包括冷卻塊,連接到所述加熱器塊的另一側(cè)以使得所述加熱器塊冷卻。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





