[發明專利]發光器件及電子設備

有效

• 申請號: 201110339426.6
• 申請日: 2007-03-02
• 公開（公告）號: CN102354731A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發明（設計）人: 高橋正弘
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 李玲

1.一種制造發光器件的方法，所述方法包括：

在襯底上形成第一電極；

在所述第一電極上形成發光層；

在所述發光層上形成第二電極；

在所述第二電極上形成樹脂材料；以及

將壓模板壓在所述樹脂材料上。

2.如權利要求1所述的制造發光器件的方法，其特征在于，

所述壓模板具有形成有凹凸的表面，以及

在形成有凹凸的表面上形成包括氧化鈦的層。

3.如權利要求2所述的制造發光器件的方法，其特征在于，

在將所述壓模板壓在所述樹脂材料上時將紫外線傳送到所述層。

4.如權利要求1所述的制造發光器件的方法，其特征在于，

在所述第二電極上形成薄膜。

5.如權利要求4所述的制造發光器件的方法，其特征在于，

所述薄膜為保護膜。

6.如權利要求1所述的制造發光器件的方法，其特征在于還包括：

將所述壓模板加熱，以使所述樹脂材料硬化而形成物體；

將所述壓模板冷卻；以及

將所述物體從所述壓模板分離。

7.如權利要求6所述的制造發光器件的方法，其特征在于，

所述第二電極具有被所述物體覆蓋的第一區域以及不被所述物體覆蓋的第二區域。

8.如權利要求7所述的制造發光器件的方法，其特征在于，

所述物體的折射率與所述第二電極的折射率相等或比所述第二電極的折射率大。

9.如權利要求7所述的制造發光器件的方法，其特征在于，

所述物體為具有多個開口部分的柱體的立體形狀，以及所述物體的高度和寬度在50nm至100μm的范圍內。

10.如權利要求7所述的制造發光器件的方法，其特征在于，

所述物體為柱形的立體形狀，以及所述物體的高度在50nm至100μm的范圍內，底面的一邊長度在50nm至100μm的范圍內。

11.一種發光器件，包括：

襯底；

在所述襯底上方的第一電極；

在所述第一電極上方的發光層；

在所述發光層上方的第二電極；以及

在所述第二電極的表面上選擇性地設置的多個物體，

其中，所述第二電極傳送在所述發光層發出的光。

12.如權利要求11所述的發光器件，其特征在于還包括：

形成在所述第二電極和所述多個物體之間的薄膜。

13.如權利要求12所述的發光器件，其特征在于，

所述薄膜為保護膜。

14.如權利要求11所述的發光器件，其特征在于還包括：

形成在所述襯底上并與所述第一電極電連接的薄膜晶體管。

15.如權利要求11所述的發光器件，其特征在于，

所述多個物體的折射率與所述第二電極的折射率相等或比所述第二電極的折射率大。

16.如權利要求11所述的發光器件，其特征在于，

所述多個物體包括樹脂材料。

17.一種電子設備，在顯示部分包括如權利要求11所述的發光器件。

18.如權利要求11所述的發光器件，其特征在于，

所述第二電極的表面具有被所述物體覆蓋的第一區域以及不被所述物體覆蓋的第二區域。

19.如權利要求11所述的發光器件，其特征在于，

所述多個物體的每一個為柱形的立體形狀，以及所述多個物體的每一個的高度在50nm至100μm的范圍內，底面的一邊長度在50nm至100μm的范圍內。

20.一種發光器件，包括：

襯底；

在所述襯底上方的第一電極；

在所述第一電極上方的發光層；

在所述發光層上方的第二電極；

在所述第二電極的表面上選擇性地設置的物體，

其中，所述第二電極傳送在所述發光層發出的光。

21.如權利要求20所述的發光器件，其特征在于還包括：

形成在所述第二電極和所述物體之間的薄膜。