[發(fā)明專利]用于半導(dǎo)體晶圓處理的高效率靜電夾盤組件

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110339410.5
• 申請(qǐng)日: 2011-10-28
• 公開（公告）號(hào): CN102543813A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 阿施施·布特那格爾;莫妮卡·阿格沃;帕德瑪·戈帕拉克里氏南;丹尼爾·馬丁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號(hào): H01L21/683
• 分類號(hào): H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 王安武

1.一種靜電夾盤組件，包括：

撓性堆疊件，該撓性堆疊件包括：

第一介電層，該第一介電層包括聚芳醚酮，具有基板支撐表面；

第二介電層，該第二介電層具有接合表面，該第一介電層接合至該第二介電層；以及

預(yù)成型薄片電極，該預(yù)成型薄片電極設(shè)置于該第一介電層與該第二介電層之間。

2.如權(quán)利要求1所述的靜電夾盤組件，其中，該聚芳醚酮包括高純度聚芳醚酮材料，該高純度聚芳醚酮材料中以下金屬中的任一者含量不大于百萬分之一：鋁、銻、砷、鋇、鈹、鉍、硼、鎘、鈣、鉻、鈷、銅、鎵、鍺、鉿、銦、鐵、鉛、鋰、汞、鎂、錳、鉬、鎳、鈮、磷、鉀、銣、鈧、硒、硅、銀、鈉、鍶、硫、鉭、碲、鉈、錫、鈦、鎢、釩、釔、鋅、鋯。

3.如權(quán)利要求1所述的靜電夾盤組件，其中，該電極為銅片，該銅片的厚度介于約5μm及約40μm之間。

4.如權(quán)利要求1所述的靜電夾盤組件，其中，該第一介電層的該基板支撐表面具有毛面修整或光面修整。

5.如權(quán)利要求1所述的靜電夾盤組件，還包括：

底座，該底座接合至該第二介電層的該接合表面，其中，該接合表面與該底座之間的剝離強(qiáng)度介于約每線性英寸2磅與約每線性英寸14磅之間。

6.如權(quán)利要求5所述的靜電夾盤組件，還包括：

黏接層，該黏接層的厚度介于約0.5密耳與約1密耳之間，該黏接層將該底座接合至該第二介電層的該接合表面，其中，該黏接層包括丙烯酸或環(huán)氧樹脂黏接劑。

7.如權(quán)利要求1所述的靜電夾盤組件，其中，該第二介電層由聚酰亞胺制造。

8.如權(quán)利要求1所述的靜電夾盤組件，其中，該第一介電層以熱塑方式接合至該第二介電層。

9.如權(quán)利要求1所述的靜電夾盤組件，其中，該第一介電層由噴霧沉積的聚芳醚酮制造。

10.如權(quán)利要求1所述的靜電夾盤組件，還包括：

光學(xué)透明的黏接劑，該光學(xué)透明的黏接劑將該第一介電層接合至該第二介電層。

11.如權(quán)利要求10所述的靜電夾盤組件，其中，該電極熔合至該第二介電層。

12.一種靜電夾盤組件，包括：

基板支撐底座；

第一介電層，由黏接層接合至該基板支撐底座，其中，該黏接層具有的剝離強(qiáng)度介于約每線性英寸2磅與約每線性英寸14磅之間；

第二介電層；以及

薄片電極，該薄片電極設(shè)置于該第一介電層與該第二介電層之間，其中，該第一介電層及該第二介電層接合在一起。

13.如權(quán)利要求12所述的靜電夾盤組件，其中，該第一介電層由聚芳醚酮制造并具有第一表面和第二表面，該第二表面與該第一表面相對(duì)，其中，該第一表面具有毛面修整，該第二表面接合至該第二介電層。

14.如權(quán)利要求13所述的靜電夾盤組件，其中，該薄片電極為銅片，該銅片的厚度介于約4μm與約40μm之間，厚度均勻性小于約10％。

15.如權(quán)利要求14所述的靜電夾盤組件，其中，該第一介電層包括高純度聚芳醚酮，該高純度聚芳醚酮中以下金屬中的每一者含量小于百萬分之一：鋁、銻、砷、鋇、鈹、鉍、硼、鎘、鈣、鉻、鈷、銅、鎵、鍺、鉿、銦、鐵、鉛、鋰、汞、鎂、錳、鉬、鎳、鈮、磷、鉀、銣、鈧、硒、硅、銀、鈉、鍶、硫、鉭、碲、鉈、錫、鈦、鎢、釩、釔、鋅、鋯。

16.如權(quán)利要求14所述的靜電夾盤組件，還包括：

光學(xué)透明的黏接劑，該光學(xué)透明的黏接劑將該第一介電層接合至該第二介電層。

17.如權(quán)利要求16所述的靜電夾盤組件，其中，該電極熔合至該第二介電層。

18.如權(quán)利要求17所述的靜電夾盤組件，其中，該第二介電層包括聚酰亞胺，該第一介電層包括標(biāo)準(zhǔn)級(jí)或高純度級(jí)的聚芳醚酮。

19.一種靜電夾盤組件，包括：

撓性堆疊件，該撓性堆疊件包括：

第一介電層，該第一介電層包括聚芳醚酮，具有基板支撐表面；

第二介電層，該第二介電層具有接合表面，該第一介電層接合至該第二介電層；以及

電極，該電極電沉積于該第一介電層與該第二介電層之間。