[發明專利]半導體微波爐的微波饋入結構

有效

• 申請號: 201110339203.X
• 申請日: 2011-10-31
• 公開（公告）號: CN102374557A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 唐相偉;歐軍輝;梁春華
• 申請（專利權）人: 廣東美的微波電器制造有限公司;美的集團有限公司
• 主分類號: F24C7/02
• 分類號: F24C7/02
• 代理公司: 佛山市粵順知識產權代理事務所 44264
• 代理人: 唐強熙;鄒濤

技術領域

本發明涉及一種半導體微波爐，特別是一種半導體微波爐的微波饋入結構。

背景技術

目前磁控管微波爐的主要元器件包括磁控管、變壓器、高壓電容、高壓二極管、爐腔、爐門和控制部件等，見附圖1；磁控管11直接插入矩形波導12中。磁控管11發出微波經矩形波導12饋入微波爐的爐腔13，加熱爐腔13內的食物。

目前，半導體微波技術發展日新月異，主要應用在通信上的半導體微波技術的頻段與微波加熱的頻段有區別。半導體微波的效率越來越高、成本越來越低、重量越來越輕、單位體積功率密度越來越大，其在微波爐上的應用是半導體微波技術發展的必然趨勢。半導體功率源微帶輸出，其模式是TE11阻抗50Ω，而微波爐矩形波導模式是TE10摸，實現半導體功率源微帶輸出饋入到微波爐腔體中就非常重要。

發明內容

本發明的目的旨在提供一種結構簡單合理、操作靈活、適用范圍廣的半導體微波爐的微波饋入結構，以克服現有技術中的不足之處。

按此目的設計的一種半導體微波爐的微波饋入結構，包括帶有爐門的腔體以及半導體功率源和矩形波導，其結構特征是半導體功率源包括半導體功率板、屏蔽罩、耦合裝置和散熱器，半導體功率板與耦合裝置相接，散熱器與半導體功率板的底面緊貼，屏蔽罩位于半導體功率板與半導體微波爐的外殼之間，半導體功率源與矩形波導相接。

所述半導體功率源通過磁控管輸出組件與矩形波導相接，磁控管輸出組件包括通過陶瓷環與A側管殼相接的排氣口，天線依次穿過排氣口、陶瓷環和A側管殼。

所述排氣口上還套設有天線帽，整個磁控管輸出組件通過底板以及第一固定環、第二固定環固定在矩形波導上。

所述半導體功率源通過探針輸出組件與矩形波導相接，探針輸出組件包括探針、底板和第一固定環，探針通過底板和第一固定環固定在矩形波導上；探針的一端插入矩形波導內，探針的另一端通過同軸傳輸線與半導體功率源的微帶線相接，或者探針的另一端直接與半導體功率源的微帶線相接。

所述半導體功率源與天線的一端相接，天線的另一端伸入腔體內。

所述腔體內設置有陶瓷板，陶瓷板位于天線的另一端與腔體的內腔之間。

所述天線套設在同軸傳輸線內。

本發明中的半導體功率源產生的微波可以經過不同的饋入結構進入微波爐的腔體內，為不同的設計要求以及客戶需要提供了較多的選擇，其具有結構簡單合理、操作靈活、適用范圍廣的特點。

附圖說明

圖1為現有磁控管微波爐的結構示意圖。

圖2為本發明第一實施例的分解結構示意圖。

圖3為第一實施例的局部剖視結構示意圖。

圖4為第一實施例中的磁控管輸出組件的局部剖視放大結構示意圖。

圖5為第二實施例的局部剖視結構示意圖。

圖6為第二實施例中的探針輸出組件的局部剖視放大結構示意圖。

圖7為第三實施例的局部剖視結構示意圖。

圖中：20為直流電源，24為散熱風扇，25為爐門，26為腔體，27為矩形波導，30為半導體功率板，31為屏蔽罩，32為耦合裝置，33為散熱器，42為半導體功率源，45為磁控管輸出組件，46為同軸傳輸線，51為天線，52為第一固定環，53為第二固定環，54為底板，55為天線帽，56為排氣口，57為陶瓷環，58為A側管殼，64為探針，85為陶瓷板。

具體實施方式

下面結合附圖及實施例對本發明作進一步描述。

第一實施例

參見圖2-圖4，本半導體微波爐的微波饋入結構，包括帶有爐門25的腔體26以及半導體功率源42和矩形波導27，半導體功率源42包括半導體功率板30、屏蔽罩31、耦合裝置32和散熱器33，半導體功率板30與耦合裝置32相接，散熱器33與半導體功率板30的底面緊貼，屏蔽罩31位于半導體功率板30與半導體微波爐的外殼之間，半導體功率源42與矩形波導27相接。

在本實施例中，半導體功率源42通過磁控管輸出組件45與矩形波導27相接，磁控管輸出組件45包括通過陶瓷環57與A側管殼58相接的排氣口56，天線51依次穿過排氣口56、陶瓷環57和A側管殼58。排氣口56上還套設有天線帽55，整個磁控管輸出組件45通過底板54以及第一固定環52、第二固定環53固定在矩形波導27上。

半導體功率源還包括LDMOS管、偏壓及控制電路、功率合成器、功率檢測及控制電路。半導體功率源和外界交流電源之間設置有開關電源、蓄電池或者充電器，進行電壓轉化。