[發(fā)明專利]鉭酸鈉薄膜紫外光探測(cè)器及其制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110339162.4
• 申請(qǐng)日: 2011-11-01
• 公開（公告）號(hào): CN102368508A
• 公開（公告）日: 2012-03-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 阮圣平;張敏;張海峰;劉彩霞;馮彩慧;周敬然;陳維友
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 吉林大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/09
• 分類號(hào): H01L31/09;H01L31/18;C23C22/64;C23C14/35;C23C14/18
• 代理公司: 長(zhǎng)春吉大專利代理有限責(zé)任公司 22201
• 代理人: 張景林;劉喜生

1.一種采用水熱合成法制備的NaTaO₃薄膜紫外光探測(cè)器，其特征在于：從下至上依次由金屬鉭片(1)襯底，采用水熱合成法在金屬鉭片上生長(zhǎng)的NaTaO₃薄膜(2)，在NaTaO₃薄膜上采用磁控濺射法制備的Au、Pt或Ni金屬插指電極(3)組成，待探測(cè)的紫外光(4)從金屬插指電極(3)的上方入射。

2.如權(quán)利要求1所述的一種采用水熱法制備的NaTaO₃薄膜紫外光探測(cè)器，其特征在于：金屬鉭片(1)的厚度為0.3～1mm，NaTaO₃薄膜的厚度為0.5～2μm，金屬插指電極的厚度為0.03～0.15μm，插指電極寬度為0.5～1mm，插指電極間距為0.5mm～1mm。

3.一種權(quán)利要求1所述的采用水熱合成法制備的NaTaO₃薄膜紫外光探測(cè)器的制備方法，其步驟如下：

(1)、襯底的清洗

將金屬鉭片襯底用去離子水清洗干凈，然后用氮?dú)獯蹈桑?/p>

(2)、水熱合成法NaTaO₃薄膜的制備

將2～3克氫氧化鈉溶解在10～15毫升去離子水中，然后將氫氧化鈉溶液置于反應(yīng)釜中，把金屬鉭片放入反應(yīng)釜中并將反應(yīng)釜密封，然后把反應(yīng)釜放在電阻爐內(nèi)，將溫度調(diào)到130～200℃加熱10～24h；將反應(yīng)釜取出后冷卻至室溫，再將金屬鉭片取出，先用去離子水沖洗金屬鉭片，再用氮?dú)獯蹈桑瑥亩诮饘巽g片上得到厚度為0.5～2μm的NaTaO₃薄膜；

(3)、采用磁控濺射技術(shù)在NaTaO₃薄膜上制備金屬插指電極采用磁控濺射技術(shù)制備金屬電極，插指電極的厚度為0.03～0.15μm，插指電極寬度為0.5～1mm，插指電極間距為0.5～1mm；至此制備得到金屬—半導(dǎo)體NaTaO₃-金屬的平面結(jié)構(gòu)NaTaO₃薄膜紫外光探測(cè)器。

4.如權(quán)利要求1所述的采用水熱合成法制備的NaTaO₃薄膜紫外光探測(cè)器的制備方法，其特征在于：磁控濺射技術(shù)是在NaTaO₃薄膜上覆蓋一個(gè)與插指電極結(jié)構(gòu)互補(bǔ)的掩膜板，將NaTaO₃薄膜與掩膜板一并置于真空室中，抽真空至1.0×10^-3～5.0×10^-3Pa；然后通Ar氣，濺射氣壓為0.3～1.2Pa，濺射功率為40～110W，濺射時(shí)間5～30分鐘，濺射鈀為Au、Pt或Ni鈀，最后將NaTaO₃薄膜上的掩膜板去掉，從而得到金屬插指電極。