[發明專利]鉭酸鈉薄膜紫外光探測器及其制備方法

無效

• 申請號: 201110339162.4
• 申請日: 2011-11-01
• 公開（公告）號: CN102368508A
• 公開（公告）日: 2012-03-07
• 發明（設計）人: 阮圣平;張敏;張海峰;劉彩霞;馮彩慧;周敬然;陳維友
• 申請（專利權）人: 吉林大學
• 主分類號: H01L31/09
• 分類號: H01L31/09;H01L31/18;C23C22/64;C23C14/35;C23C14/18
• 代理公司: 長春吉大專利代理有限責任公司 22201
• 代理人: 張景林;劉喜生

1.一種采用水熱合成法制備的NaTaO₃薄膜紫外光探測器，其特征在于：從下至上依次由金屬鉭片(1)襯底，采用水熱合成法在金屬鉭片上生長的NaTaO₃薄膜(2)，在NaTaO₃薄膜上采用磁控濺射法制備的Au、Pt或Ni金屬插指電極(3)組成，待探測的紫外光(4)從金屬插指電極(3)的上方入射。

2.如權利要求1所述的一種采用水熱法制備的NaTaO₃薄膜紫外光探測器，其特征在于：金屬鉭片(1)的厚度為0.3～1mm，NaTaO₃薄膜的厚度為0.5～2μm，金屬插指電極的厚度為0.03～0.15μm，插指電極寬度為0.5～1mm，插指電極間距為0.5mm～1mm。

3.一種權利要求1所述的采用水熱合成法制備的NaTaO₃薄膜紫外光探測器的制備方法，其步驟如下：

(1)、襯底的清洗

將金屬鉭片襯底用去離子水清洗干凈，然后用氮氣吹干；

(2)、水熱合成法NaTaO₃薄膜的制備

將2～3克氫氧化鈉溶解在10～15毫升去離子水中，然后將氫氧化鈉溶液置于反應釜中，把金屬鉭片放入反應釜中并將反應釜密封，然后把反應釜放在電阻爐內，將溫度調到130～200℃加熱10～24h；將反應釜取出后冷卻至室溫，再將金屬鉭片取出，先用去離子水沖洗金屬鉭片，再用氮氣吹干，從而在金屬鉭片上得到厚度為0.5～2μm的NaTaO₃薄膜；

(3)、采用磁控濺射技術在NaTaO₃薄膜上制備金屬插指電極采用磁控濺射技術制備金屬電極，插指電極的厚度為0.03～0.15μm，插指電極寬度為0.5～1mm，插指電極間距為0.5～1mm；至此制備得到金屬—半導體NaTaO₃-金屬的平面結構NaTaO₃薄膜紫外光探測器。

4.如權利要求1所述的采用水熱合成法制備的NaTaO₃薄膜紫外光探測器的制備方法，其特征在于：磁控濺射技術是在NaTaO₃薄膜上覆蓋一個與插指電極結構互補的掩膜板，將NaTaO₃薄膜與掩膜板一并置于真空室中，抽真空至1.0×10^-3～5.0×10^-3Pa；然后通Ar氣，濺射氣壓為0.3～1.2Pa，濺射功率為40～110W，濺射時間5～30分鐘，濺射鈀為Au、Pt或Ni鈀，最后將NaTaO₃薄膜上的掩膜板去掉，從而得到金屬插指電極。