[發(fā)明專利]成膜裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110338976.6
• 申請日: 2011-10-31
• 公開（公告）號: CN102543795A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 柿本明修;小森克彥;長谷部一秀
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;C23C16/44;C23C16/24
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種成膜裝置，其能夠用于填充被形成在絕緣膜中的、到達(dá)導(dǎo)電體的開孔，其特征在于，

其包括：

一個處理室，其用于容納被處理體，該被處理體在上述導(dǎo)電體上形成有具有到達(dá)該導(dǎo)電體的開孔的絕緣膜；

氣體供給機(jī)構(gòu)，其用于向上述處理室內(nèi)供給氨基硅烷類氣體及不包含氨基的硅烷類氣體，

在上述一個處理室內(nèi)依次執(zhí)行下述處理：

(1)向上述處理室內(nèi)供給上述氨基硅烷類氣體而在具有到達(dá)上述導(dǎo)電體的開孔的絕緣膜的表面及上述開孔的底部的表面上形成晶種層的處理；

(2)向上述處理室內(nèi)供給上述不包含氨基的硅烷類氣體而在上述晶種層之上形成硅膜的處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于，

在上述處理室內(nèi)還包括用于供給能夠除去形成在上述導(dǎo)電體之上的自然氧化膜的第1氣體的氣體供給機(jī)構(gòu)，

在上述一個處理室內(nèi)還執(zhí)行下述處理：

(3)向容納有上述被處理體的上述處理室內(nèi)供給上述第1氣體而除去已暴露于上述開孔的底部的上述導(dǎo)電體表面之上的自然氧化膜的處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于，

在上述處理室內(nèi)還包括用于供給能夠蝕刻上述導(dǎo)電體的第2氣體的氣體供給機(jī)構(gòu)，

在上述一個處理室內(nèi)還執(zhí)行下述處理：

(4)向上述處理室內(nèi)供給上述第2氣體而挖掘上述開孔的底部的上述導(dǎo)電體的處理。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于，

在上述處理室內(nèi)還包括用于供給能夠蝕刻上述硅膜的第3氣體的第3氣體供給機(jī)構(gòu)，

在上述(2)的處理之后，重復(fù)執(zhí)行下述處理，直至上述開孔被上述硅膜及新的硅膜填充：

(5)向上述處理室內(nèi)供給上述第3氣體而直到上述開孔的中途為止除去上述硅膜的處理；

(6)向上述處理室內(nèi)再度供給上述不包含氨基的硅烷類氣體而在上述硅膜之上形成上述新的硅膜的處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于，

在上述處理室內(nèi)還包括用于供給能夠蝕刻上述硅膜的第4氣體的第4氣體供給機(jī)構(gòu)，

在上述(2)的處理之后，重復(fù)執(zhí)行下述處理，直至上述開孔被上述硅膜及新的硅膜填充：

(7)向上述處理室內(nèi)供給上述第4氣體而直到上述開孔的中途為止除去上述硅膜的處理；

(8)向上述處理室內(nèi)再度供給上述氨基硅烷類氣體而在上述絕緣膜及上述硅膜的表面上形成新的晶種層的處理；

(9)向上述處理室內(nèi)再度供給上述不包含氨基的硅烷類氣體而在上述新的晶種層之上形成上述新的硅膜的處理。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的成膜裝置，其特征在于，

在上述處理室內(nèi)還包括用于供給第5氣體的第5氣體供給機(jī)構(gòu)，該第5氣體包含作為半導(dǎo)體的摻雜劑的物質(zhì)，

在上述導(dǎo)電體為半導(dǎo)體時執(zhí)行下述處理：

(10)向上述處理室內(nèi)供給上述第5氣體來降低上述半導(dǎo)體的表面部分的電阻值的處理；及/或

(11)向上述處理室內(nèi)供給上述第5氣體而使上述硅膜和上述新的硅膜的至少任意一種中含有上述摻雜劑的處理。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于，

上述氨基硅烷類氣體從包含BAS、BTBAS、DMAS、BDMAS、TDMAS、DEAS、BDEAS、DPAS以及DIPAS中的至少一種的氣體選擇，

BAS為丁基氨基硅烷；BTBAS為雙叔丁基氨基硅烷；DMAS為二甲氨基硅烷；BDMAS為雙(二甲氨基)硅烷；TDMAS為(三(二甲氨基)硅烷)；DEAS為二乙基氨基硅烷；BDEAS為雙(二乙基氨基)硅烷；DPAS為二丙基氨基硅烷；DIPAS為二異丙基氨基硅烷；

上述不包含氨基的硅烷類氣體從包含SiH₄、SiH₆、Si₂H₄、Si₂H₆、以Si_mH_2m+2的式表示的硅的氫化物以及以Si_nH_2n的式表示的硅的氫化物中的至少一種的氣體選擇，其中，m為3以上的自然數(shù)，n為3以上的自然數(shù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成膜裝置，其特征在于，

以上述Si_mH_2m+2的式表示的硅的氫化物從丙硅烷即Si₃H₈、丁硅烷即Si₄H₁₀、戊硅烷即Si₅H₁₂、己硅烷即Si₆H₁₄、庚硅烷即Si₇H₁₆中的至少一種選擇，其中，m為3以上的自然數(shù)，

以上述Si_nH_2n的式表示的硅的氫化物從環(huán)丙硅烷即Si₃H₆、環(huán)丁硅烷即Si₄H₈、環(huán)戊硅烷即Si₅H₁₀、環(huán)己硅烷即Si₆H₁₂、環(huán)庚硅烷即Si₇H₁₄中的至少任意一種選擇，其中，n為3以上的自然數(shù)。