[發(fā)明專利]晶體管的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110338445.7
• 申請(qǐng)日: 2011-10-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103094208A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 平延磊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8234
• 分類號(hào): H01L21/8234
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底分為NMOS區(qū)域和PMOS區(qū)域；

在襯底上形成高K介質(zhì)層；

在所述NMOS區(qū)域的高K介質(zhì)層上依次形成第一功函數(shù)金屬層、第一阻擋層、金屬電極層，所述第一阻擋層具有壓縮應(yīng)力；

在所述PMOS區(qū)域的高K介質(zhì)層上依次形成第二功函數(shù)金屬層、第二阻擋層、金屬電極層，所述第二阻擋層具有拉伸應(yīng)力。

2.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一阻擋層和第二阻擋層的材料相同。

3.如權(quán)利要求2所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一阻擋層和第二阻擋層的材料為氮化鉭或氮化鈦中的一種或多種。

4.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制造方法，其特征在于，形成第一阻擋層的步驟包括：采用等離子體進(jìn)行沉積。

5.如權(quán)利要求4所述的晶體管的制造方法，其特征在于，形成第一阻擋層包括采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積或者物理氣相沉積。

6.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制造方法，其特征在于，形成第二阻擋層的步驟包括：采用熱沉積形成所述第二阻擋層。

7.如權(quán)利要求6所述的晶體管的制造方法，其特征在于，形成第二阻擋層包括采用原子層沉積或者金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積。

8.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一功函數(shù)金屬層、第二功函數(shù)金屬層的材料為氮化鉭、鈦鋁合金、氮化鎢中的一種或多種。

9.如權(quán)利要求8所述的晶體管的制造方法，其特征在于，通過(guò)原子層沉積方法或者物理氣相沉積方法形成所述第一功函數(shù)金屬層或第二功函數(shù)金屬層。

10.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制造方法，其特征在于，在形成第一阻擋層之后，形成金屬電極層之前，在第一阻擋層上形成金屬浸潤(rùn)層，用于促進(jìn)金屬電極層的材料向第一阻擋層的擴(kuò)散。

11.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制造方法，其特征在于，在形成第二阻擋層之后，形成金屬電極層之前，在第二阻擋層上形成金屬浸潤(rùn)層，用于促進(jìn)金屬電極層的材料向第二阻擋層的擴(kuò)散。

12.如權(quán)利要求10或11所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述金屬電極層的材料為鋁，所述金屬浸潤(rùn)層的材料為鈦或鈦鋁合金。

13.如權(quán)利要求12所述的晶體管的制造方法，其特征在于，通過(guò)物理氣相沉積的方法形成所述金屬浸潤(rùn)層。

14.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述金屬電極層的材料為鋁。

15.如權(quán)利要求14所述的晶體管的制造方法，其特征在于，通過(guò)化學(xué)氣相沉積或者物理氣相沉積的方法形成所述金屬電極層。

16.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一功函數(shù)金屬層的功函數(shù)在3.9eV～4.2eV的范圍內(nèi)。

17.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述第二功函數(shù)金屬層的功函數(shù)在4.9eV～5.2eV的范圍內(nèi)。