[發明專利]修飾電極及其制備方法

無效

• 申請號: 201110338065.3
• 申請日: 2011-10-31
• 公開（公告）號: CN102393412A
• 公開（公告）日: 2012-03-28
• 發明（設計）人: 盧小泉;劉冬;李亞亞;王海峰;姬東琴
• 申請（專利權）人: 西北師范大學
• 主分類號: G01N27/30
• 分類號: G01N27/30
• 代理公司: 北京中恒高博知識產權代理有限公司 11249
• 代理人: 陸菊華

1.一種修飾電極，所述修飾電極包括基底電極，其特征在于：所述修飾電極還包括涂覆于所述基底電極表面的金納米粒子膜；涂覆于所述金納米粒子膜表面的Ru（bpy）₃²⁺；以及涂覆于所述Ru（bpy）₃²⁺表面的Nafion。

2.根據權利要求1所述的修飾電極，其特征在于：所述基底電極為鉑電極。

3.一種權利要求1或2所述的修飾電極的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

1）、對基底電極進行預處理；

2）、將金納米粒子涂覆到步驟1）所述的預處理后的基底電極表面，形成表面覆蓋有金納米粒子膜的金納米粒子修飾鉑電極；

3）、將Ru（bpy）₃²⁺涂覆到步驟2）得到的電極表面，形成Ru（bpy）₃²⁺-金納米粒子修飾鉑電極；

4）、將Nafion涂覆到步驟3）得到的Ru（bpy）₃²⁺-金納米粒子修飾鉑電極表面，得到本發明的修飾電極。

4.根據權利要求3所述的修飾電極的制備方法，其特征在于：步驟2）中金納米粒子修飾鉑電極的制備方法為：將經過預處理后的基底電極置于含有HAuCl₄和NH₄Cl的電解質溶液中，并在以經過預處理后的基底電極為工作電極的三電極體系中進行恒電位掃描，其中，電壓為-0.2V，掃描時間為10s，制得金納米粒子修飾鉑電極。

5.根據權利要求3所述的修飾電極的制備方法，其特征在于：步驟3）中Ru（bpy）₃²⁺-金納米粒子修飾鉑電極的制備方法為：將步驟2）制得的金納米粒子修飾鉑電極置于含有Ru（bpy）₃²⁺的酸性磷酸鹽緩沖液中，并在以金納米粒子修飾鉑電極為工作電極的三電極體系中進行循環伏安掃描，掃描電壓為0.2-1.4V，掃描速度為100mV/s。

6.根據權利要求5所述的修飾電極的制備方法，其特征在于：所述掃描圈數為23圈。

7.根據權利要求5所述的修飾電極的制備方法，其特征在于：所述磷酸鹽緩沖液的pH值為4.0。

8.根據權利要求3所述的修飾電極的制備方法，其特征在于：步驟4）中所述的涂覆方法為：將Nafion滴到步驟3）制備的Ru（bpy）₃²⁺-金納米粒子修飾鉑電極表面，在室溫下自然晾干。