[發(fā)明專利]一種耐高溫嵌入式雙探針等離子體密度測(cè)量裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110337849.4 | 申請(qǐng)日: | 2011-10-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102508002A | 公開(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周建發(fā) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京遙測(cè)技術(shù)研究所 |
| 主分類號(hào): | G01R19/00 | 分類號(hào): | G01R19/00 |
| 代理公司: | 中國(guó)航天科技專利中心 11009 | 代理人: | 范曉毅 |
| 地址: | 100076 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 耐高溫 嵌入式 探針 等離子體 密度 測(cè)量 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于空間等離子體參數(shù)測(cè)量領(lǐng)域,涉及一種耐高溫嵌入式雙探針等離子體密度測(cè)量裝置,可以用于再入飛行時(shí)邊界層內(nèi)密度在108cm-3~1011cm-3的空間等離子體參數(shù)測(cè)量。
背景技術(shù)
無(wú)論是載人飛船、回收衛(wèi)星還是洲際導(dǎo)彈,再入大氣層后的末相系統(tǒng)均有許多命令,如語(yǔ)言通訊,電子對(duì)抗,末制導(dǎo)等,均要求信號(hào)實(shí)時(shí)傳輸。對(duì)于不同類型的再入飛行器,其等離子體鞘的形態(tài)和參數(shù)不同,理論研究只能給出方向性的結(jié)論,根據(jù)這些結(jié)論所提出的設(shè)計(jì)必需進(jìn)過(guò)飛行試驗(yàn)的最終校驗(yàn)。地面試驗(yàn)一個(gè)重大的缺陷是不能提供電訊號(hào)衰減測(cè)量全部的模擬條件,包括高焓、高速、氣體組分、無(wú)限大自由空間的介電環(huán)境等。因此飛行試驗(yàn)對(duì)于再入通訊研究具有特殊的重要性。彈載再入等離子體鞘診斷裝置的研制應(yīng)運(yùn)而生。目前測(cè)量方法主要有:波導(dǎo)天線探針、靜電探針、射頻電導(dǎo)率探針、電聲探針、電阻線探針、微波輻射計(jì)、隔離狹縫天線等。彈載傳感器需要能在全再入過(guò)程中連續(xù)的測(cè)定等離子體鞘的全部參數(shù);再入環(huán)境條件(特別是熱環(huán)境)十分嚴(yán)酷,需要保證傳感器不被燒壞;制作簡(jiǎn)易方便,數(shù)據(jù)處理簡(jiǎn)單易行;尺寸小、重量輕。目前靜電探針(朗繆爾探針)的主要缺點(diǎn)是有效收集面積難以確定、抗高溫與氧化性差、影響飛行器氣動(dòng)外形。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足,提供一種耐高溫嵌入式雙探針等離子體密度測(cè)量裝置,該測(cè)量裝置能夠安裝在再入飛行器表面,與飛行器表面齊平,不破壞飛行器的氣動(dòng)外形,并且耐高溫、體積小、測(cè)量精確高。
本發(fā)明的上述目的是通過(guò)如下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的:
一種耐高溫嵌入式雙探針等離子體密度測(cè)量裝置,包括氮化硼絕緣底座、兩根銥電極探針、兩個(gè)探針電極保護(hù)環(huán)和兩根電極連接導(dǎo)線,其中兩根銥電極探針嵌入到氮化硼絕緣底座中,第一探針電極保護(hù)環(huán)環(huán)繞在第一銥電極探針周圍,第二探針電極保護(hù)環(huán)環(huán)繞在第二銥電極探針周圍,且探針電極保護(hù)環(huán)與銥電極探針之間的間距小于或等于德拜長(zhǎng)度,并保證兩根銥電極探針的端面、兩個(gè)探針電極保護(hù)環(huán)的表面和氮化硼絕緣底座的表面在同一個(gè)平面上,所述平面可安裝在再入飛行器表面,與再入飛行器表面齊平,其中探針電極保護(hù)環(huán)與銥電極探針之間的間距為探針電極保護(hù)環(huán)圓環(huán)內(nèi)徑R與銥電極探針半徑r的差值;第一探針保護(hù)環(huán)與第一銥電極探針連接,第二探針保護(hù)環(huán)與第二銥電極探針連接,第一電極連接導(dǎo)線連接第一銥電極探針,第二電極連接導(dǎo)線連接第二銥電極探針,且兩根電極連接導(dǎo)線從氮化硼絕緣底座中穿過(guò),與檢測(cè)電路連接。
在上述耐高溫嵌入式雙探針等離子體密度測(cè)量裝置中,檢測(cè)電路包括可調(diào)電阻器、掃描電壓源和固定電阻,其中兩根電極連接導(dǎo)線中的一根電極連接導(dǎo)線直接與可調(diào)電阻器連接,另外一根電極連接導(dǎo)線串聯(lián)固定電阻后與可調(diào)電阻器連接,可調(diào)電阻器與掃描電壓源并聯(lián)連接。
在上述耐高溫嵌入式雙探針等離子體密度測(cè)量裝置中,兩個(gè)探針電極保護(hù)環(huán)與兩根銥電極探針的材料相同且同電位。
在上述耐高溫嵌入式雙探針等離子體密度測(cè)量裝置中,兩根銥電極探針的尺寸相同且材料相同。
在上述耐高溫嵌入式雙探針等離子體密度測(cè)量裝置中,兩根銥電極探針的直徑≤3.2mm,且兩根銥電極探針的長(zhǎng)度為直徑的2~10倍。
在上述耐高溫嵌入式雙探針等離子體密度測(cè)量裝置中,等離子體密度測(cè)量裝置用于再入飛行器再入飛行時(shí),邊界層內(nèi)密度在108cm-3~1011cm-3的空間等離子體參數(shù)測(cè)量。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下有益效果:
(1)本發(fā)明等離子體密度測(cè)量裝置中銥電極探針的端面、探針電極保護(hù)環(huán)的表面和氮化硼絕緣底座的表面在同一個(gè)平面上,使得測(cè)量裝置能夠安裝在再入飛行器表面,與飛行器表面齊平,不破壞飛行器的氣動(dòng)外形;
(2)本發(fā)明等離子體密度測(cè)量裝置中探針材料為金屬銥材料,可承受長(zhǎng)時(shí)間溫度不高于2000℃環(huán)境,且不容易氧化;
(3)本發(fā)明等離子體密度測(cè)量裝置中采用探針電極保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)減小了邊緣效應(yīng),保證探針的有效收集面積,提高了測(cè)量的精確度,此外本發(fā)明通過(guò)大量實(shí)驗(yàn)給出了探針電極保護(hù)環(huán)與電極探針之間的最佳間距,進(jìn)一步提高了測(cè)量的精確度;
(4)本發(fā)明等離子體密度測(cè)量裝置采用氮化硼作耐熱絕緣材料,其可加工性、高溫下絕緣性好;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京遙測(cè)技術(shù)研究所,未經(jīng)北京遙測(cè)技術(shù)研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110337849.4/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。





