[發明專利]制備太陽能電池上的選擇性發射極的方法中使用的擴散設備有效
| 申請號: | 201110337832.9 | 申請日: | 2009-08-10 |
| 公開(公告)號: | CN102386280A | 公開(公告)日: | 2012-03-21 |
| 發明(設計)人: | 樸勝一;許閏成;李萬根 | 申請(專利權)人: | SNT能源技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/225 |
| 代理公司: | 廣州弘邦專利商標事務所有限公司 44236 | 代理人: | 張釔斌 |
| 地址: | 韓國京畿道華城*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制備 太陽能電池 選擇性 發射極 方法 使用 擴散 設備 | ||
1.一種擴散設備,其用于形成一種太陽能電池上的選擇性發射極,
該設備包括:
一個擴散腔,其一端設有一個入口,另一端設有一個出口;
一個傳送器,其將表面被蝕刻有紋理,并且涂覆了一種混合物溶液的硅底板傳送到擴散腔中;
一個加熱器,其產生一個第一熱能,并在硅底板被送入擴散腔中時,將該第一熱能注入到硅底板上已經涂覆有混合物溶液的整個表面上;以及
一個激光發生器,其將一束激光束照射到硅底板表面上的一部分區域內或多個固定區域內,
其特征在于第一熱能使混合物溶液在硅底板上進行擴散,結果形成一個發射極層,而第二熱能使混合物溶液在發射極層的部分區域或多個固定區域內進行進一步的擴散,結果形成一個或多個選擇性發射極區,
第二熱能包括第一熱能和激光束產生的第三熱能,并且第二熱能產生的溫度等于第一熱能和第三熱能產生的溫度之和。
2.如權利要求1所述的設備,其中所述的傳送器包括:
一根安裝在硅底板上的傳送帶;和
多個循環傳送帶的旋轉輥,這樣安裝在傳送帶上的硅底板以一個預定的速度從擴散腔的入口傳送到出口,
其特征在于傳送帶包括一種金屬網。
3.如權利要求1所述的設備,其特征在于加熱器包括一種非接觸式輻射加熱器。
4.如權利要求2所述的設備,其特征在于擴散腔中的加熱器以一個預定的間距設置在傳送帶的周圍。
5.如權利要求4所述的設備,其特征在于所述的激光發生器安裝在擴散腔的外面,其將一束激光束照射在硅底板表面上的一部分區域內或多個預定區域內,
并且安裝多根管,使每一根管都穿過擴散腔的一部分上表面和加熱器的一部分上表面,并朝向傳送帶。
6.如權利要求4所述的設備,其特征在于安裝多根排氣管,使每一根管都穿過擴散腔的一部分上表面和加熱器的一部分上表面,并伸出到擴散腔的外面。
7.如權利要求2所述的設備,其特征在于安裝在傳送帶的硅底板,其表面上有部分區域或多個預定區域內被額外涂覆了混合物溶液。
8.如權利要求2所述的設備,其特征在于擴散腔中的加熱器包括多條非接觸式加熱線,它們分別與傳送帶之間的距離為同一預定距離,并且它們均安裝在傳送帶的上面和下面,并且
多個非接觸式加熱線相互之間以同一預定距離間隔地設置在輸送帶上,并分別與傳送帶成直角。
9.如權利要求2所述的設備,其特征在于所述的擴散腔包括:
至少一塊石英板,該石英板上至少設有一個穿孔;
一個加熱器,其安裝在上述至少一塊石英板的四周,其中該石英板的頂部未安裝至少一個穿孔;和
一個框架,其包括一個與入口、出口均連通的第一預定空間和一個設置在第一預定空間上面的第二預定空間,
其特征在于所述的傳送帶循環穿過入口、第一預定空間和出口,并且
從框架內表面伸出的一個支柱用于支撐至少一塊石英板和隔熱器,并且至少一塊石英板和隔熱器是設置在第二預定空間內。
10.如權利要求9所述的設備,其特征在于至少一塊石英板還包括至少一個傳送器,該傳送器被至少一個穿孔覆蓋,并且傳送器是從至少一塊石英板的上表面伸出的,
其特征在于至少一個傳送器包括一個中空的石英管,該石英管底部開口、頂部密封,
并且第一預定空間的頂部被第二預定空間中的隔熱器和至少一塊石英板覆蓋密封。
所述的激光發生器安裝在擴散腔的外面,其將激光束穿過至少一個傳送器和至少一個穿孔,照射到硅底板表面上的部分區域或多個預定區域上。
11.如權利要求10所述的設備,其特征在于還包括一個安裝在至少一個傳送器外表面上的冷卻器,用于冷卻至少一個被第一熱能和第三熱能加熱了的傳送器。
12.如權利要求10所述的設備,其特征在于所述的激光發生器包括:
一個產生激光束的激光源;
一個控制激光束強度和發射程度的光束擴展器;和
一個控制激光束照射角度的光學模塊,其使激光束穿過光束擴展器,傳送到至少一個傳送器中,并被分解成與傳送器相對應的數量。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





