[發(fā)明專利]立式熱處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110337686.X | 申請日: | 2011-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN102569126A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 長谷部一秀 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;C30B33/02 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 立式 熱處理 裝置 | ||
1.一種立式熱處理裝置,其將借助支柱呈擱板狀保持有多張基板的基板保持件輸入到立式的反應(yīng)管內(nèi),對基板進(jìn)行成膜處理,在該反應(yīng)管周圍配置有加熱部,其特征在于,
該立式熱處理裝置具有:
旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),其用于使上述基板保持件繞相對于鉛垂軸線傾斜的傾斜軸線旋轉(zhuǎn);
第1輔助保持部及第2輔助保持部和多個主保持部,在上述基板保持件上的每個基板容納位置均設(shè)置有上述第1輔助保持部及第2輔助保持部和多個主保持部,該多個主保持部用于在沿基板的周向相互離開的位置分別支承該基板的下表面周緣部;該第1輔助保持部及第2輔助保持部位于在基板的周向上相對于這些主保持部離開的位置,并且在上述傾斜軸線方向上該第1輔助保持部及第2輔助保持部的上表面的高度低于上述多個主保持部的上表面的高度,
上述基板保持件上的各基板在上述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的帶動下每旋轉(zhuǎn)1周時、在由上述第1輔助保持部及上述主保持部支承的姿勢與由上述第2輔助保持部及上述主保持部支承的姿勢之間改變姿勢。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的立式熱處理裝置,其特征在于,
該立式熱處理裝置還具有控制部,該控制部輸出控制信號,使得一邊使上述基板保持件繞上述傾斜軸線旋轉(zhuǎn),一邊向上述反應(yīng)管內(nèi)供給成膜氣體而對基板進(jìn)行成膜處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的立式熱處理裝置,其特征在于,
上述控制部輸出控制信號使得形成在基板上的薄膜的膜厚為0.2μm以上。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





