[發明專利]一種用于太陽能電池的鈍化介質膜

無效

• 申請號: 201110337119.4
• 申請日: 2011-10-31
• 公開（公告）號: CN102403369A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 周艷方;尹海鵬;張俊兵;劉淑華;單偉
• 申請（專利權）人: 晶澳（揚州）太陽能科技有限公司;合肥晶澳太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司 44104
• 代理人: 李海波

1.一種用于太陽能電池的鈍化介質膜，其特征是：所述鈍化介質膜是由第一介質膜組成的單層結構，或所述鈍化介質膜是由第一介質膜和第二介質膜組成的迭層結構，其中第一介質膜與硅基體材料直接相接觸，第二介質膜沉積在第一鈍化膜上。

2.根據權利要求1所述的用于太陽能電池的鈍化介質膜，其特征是：所述第一介質膜為具有固定負電荷的金屬氧化物。

3.根據權利要求2所述的用于太陽能電池的鈍化介質膜，其特征是：所述金屬氧化物為氧化鋁。

4.根據權利要求1或2或3所述的用于太陽能電池的鈍化膜，其特征是：所述第一介質膜的厚度為3-200nm。

5.根據權利要求1所述的用于太陽能電池的鈍化介質膜，其特征是：所述第二介質膜為氮化硅、碳化硅、氧化硅或氧化鈦單層膜，或所述第二介質膜為氮化硅、碳化硅、氧化硅和氧化鈦中的兩種或兩種以上組成的復合膜。

6.根據權利要求5所述的用于太陽能電池的鈍化介質膜，其特征是：所述第二鈍化膜的厚度為3-200?nm,，折射率為0.8-3.0。

7.根據權利要求1任一項所述的用于太陽能電池的鈍化介質膜，其特征是：所述第一介質膜和第二介質膜包括采用原子層沉積ALD、化學氣相沉積CVD、等離子化學氣相沉積PECVD、金屬有機物化學氣相沉積MOCVD或分子束外延生長MBE方法制備獲得，其中制備第一鈍化膜時所采用的反應氣體至少包含一種含鋁化合物，所述含鋁化合物包括Al(CH3)₃、AlCl₃、Al(CH3)₂Cl或(CH₃)₂C₂H₅N:AlH₃。

8.根據權利要求1所述的用于太陽能電池的鈍化介質膜，其特征是：所述鈍化介質膜設置于太陽能電池的受光面或設置于太陽能電池的背光面。

9.根據權利要求1所述的用于太陽能電池的鈍化介質膜，其特征是：所述硅基體材料的表面形貌為拋光面或絨面結構，其中拋光面結構采用化學溶液腐蝕形成，所述的化學溶液為KOH或NaOH水溶液，其質量百分含量為10~40%，溫度為50~90℃；或所述的化學溶液為四甲基氫氧化銨或乙二胺水溶液，其質量百分含量為10~30%，溫度為50~90℃；其中所述絨面結構采用化學溶液腐蝕制備獲得，所述化學溶液為NaOH水溶液，其質量百分含量為0.5~5%，在75~90℃的溫度下通過表面織構化形成。

10.根據權利要求9所述的用于太陽能電池的鈍化介質膜，其特征是：在表面形貌為拋光面或絨面結構的硅基體材料上沉積第一介質膜之前，對硅基體材料表面進行清洗，清洗采用氫氟酸、硝酸、鹽酸或硫酸以及含有添加劑的氫氟酸、硝酸、鹽酸或硫酸，清洗時間為0.5-60分鐘，溫度為5~90℃。