[發明專利]具有增大的電流入口面積的跡線上凸塊結構有效
| 申請號: | 201110336929.8 | 申請日: | 2011-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN102856262A | 公開(公告)日: | 2013-01-02 |
| 發明(設計)人: | 侯福財;林亮臣 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/00 | 分類號: | H01L23/00;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京德恒律師事務所 11306 | 代理人: | 陸鑫;高雪琴 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 增大 電流 入口 面積 線上 結構 | ||
1.一種器件,包括:
封裝元件;
金屬跡線,位于所述封裝元件的表面上;以及
第一介電掩模和第二介電掩模,覆蓋所述金屬跡線的頂面和側壁,其中,所述金屬跡線的接合部分位于所述第一介電掩模和所述第二介電掩模之間,并且其中,所述接合部分包括:
第一部分,具有第一寬度;和
第二部分,連接于所述第一部分的端部,其中所述第二部分具有大于所述第一寬度的第二寬度,并且其中,在與所述金屬跡線的縱向方向垂直的方向上測量所述第一寬度和所述第二寬度。
2.根據權利要求1所述的器件,其中所述接合部分進一步包括第三部分,其中,所述第二部分和所述第三部分連接于所述第一部分的相對端,并且其中,所述第三部分具有大于所述第一寬度的第三寬度;或者
其中,所述第一部分和所述第二部分具有相同的厚度;或者
其中所述第一介電掩模和所述第二介電掩模物理接觸所述金屬跡線的側壁,并且其中,所述第一介電掩模和所述第二介電掩模具有大于所述第二寬度的寬度。
3.根據權利要求1所述的器件,進一步包括:器件管芯,包括金屬凸塊;和焊料凸塊,所述焊料凸塊將所述金屬凸塊接合于所述金屬跡線的所述接合部分,其中,所述焊料凸塊接觸所述接合部分的所述第一部分和所述第二部分的側壁;或者
所述器件進一步包括:器件管芯,包括金屬凸塊;和焊料凸塊,所述焊料凸塊將所述金屬凸塊接合于所述金屬跡線的所述接合部分,其中,所述焊料凸塊接觸所述接合部分的所述第一部分和所述第二部分的側壁;且其中,所述金屬凸塊具有伸長的形狀,并且所述金屬凸塊的長軸與所述金屬跡線的所述縱向方向平行,并且其中,所述金屬凸塊進一步包括短軸,所述短軸的寬度接近于所述第二寬度。
4.根據權利要求1所述的器件,進一步包括其他金屬跡線,所述其他金屬跡線與所述金屬跡線鄰近并平行,其中,沒有金屬跡線位于所述金屬跡線和所述其他金屬跡線之間,并且其中,所述第二寬度小于大約所述第一寬度的兩倍與所述金屬跡線和所述其他金屬跡線之間的間隔之和;或者
所述器件,進一步包括其他金屬跡線,所述其他金屬跡線與所述金屬跡線鄰近并平行,其中,沒有金屬跡線位于所述金屬跡線和所述其他金屬跡線之間,并且其中,所述第一介電掩模和所述第二介電掩模未覆蓋所述其他金屬跡線。
5.一種器件,包括:
器件管芯;
封裝襯底,在其中不包括有源器件;
含銅凸塊,位于所述器件管芯的表面,其中所述含銅凸塊的長軸具有第一長度,并且所述含銅凸塊的短軸具有不大于所述第一長度的第一寬度;
第一含銅跡線,位于所述封裝襯底的表面上;
兩個焊料掩模,覆蓋所述第一含銅跡線的兩個部分,其中所述第一含銅跡線位于所述兩個焊料掩模之間的部分包括:
第一部分,具有小于所述第一寬度的第二寬度;和
第二部分和第三部分,位于所述第一部分的相對端,其中所述第二部分和所述第三部分具有大于所述第二寬度的第三寬度;以及
焊料凸塊,將所述含銅凸塊接合于所述第一含銅跡線,其中,所述焊料凸塊接合于并接觸部分所述第一含銅跡線的頂面和側壁。
6.根據權利要求5所述的器件,進一步包括第二含銅跡線,所述第二含銅跡線與所述第一含銅跡線鄰近并平行,并且沒有其他的含銅跡線位于所述第一含銅跡線和所述第二含銅跡線之間,其中所述兩個焊料掩模未覆蓋所述第二含銅跡線;或者
在所述器件中,所述第一含銅跡線進一步包括在所述兩個焊料掩模的其中之一的下方掩埋的其他部分,其中,所述其他部分包括第四部分和第五部分,所述第四部分具有所述第二寬度,所述第五部分具有大于所述第二寬度的寬度,并且其中,所述第五部分位于所述第四部分和所述第二部分之間并接觸所述第四部分和所述第二部分;或者
在所述器件中,所述第一含銅跡線進一步包括在所述兩個焊料掩模的其中之一的下方掩埋的其他部分,其中,所述其他部分和所述第二部分具有與所述兩個焊料掩模的其中之一的邊緣對準的界面,并且其中,所述其他部分的寬度等于所述第二寬度;或者
所述器件,進一步包括第二含銅跡線,所述第二含銅跡線與所述第一含銅跡線鄰近并平行,其中所述第三寬度小于大約所述第二寬度的兩倍與所述第一含銅跡線和所述第二含銅跡線之間的間隔之和。
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