[發(fā)明專利]去合金法制備多孔氮化鋁或氮化鎵薄片或薄帶的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110336903.3
• 申請日: 2011-10-31
• 公開（公告）號: CN102502537A
• 公開（公告）日: 2012-06-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顏國君;王洋;曹樹鵬;韓文靜;郗丹;韓慶;王東
• 申請（專利權(quán)）人: 西安理工大學(xué)
• 主分類號: C01B21/072
• 分類號: C01B21/072;C01B21/06;B81C1/00
• 代理公司: 西安弘理專利事務(wù)所 61214
• 代理人: 李娜

1.一種去合金法制備多孔氮化鋁或氮化鎵薄片或薄帶的方法，其特征在于，包括以下操作步驟：

步驟1，原料稱取：

原料由A組份和B組份組成；A組份占整個原料的重量百分比為10～90％wt，其余為B組分；

A組份為純度不小于99％wt的Al錠或鎵液；

B組份為純度不小于99％wtMg塊、純度不小于98％wtLi塊或純度不小于98％wt的Ca塊中的一種，或任意兩種或三種以任意比例組成的混合物；

步驟2，合金的熔煉和配制：

按照所需得到的合金中各金屬的含量要求配制步驟1稱取的B組分各金屬的含量，然后將A組分與B組分放入坩堝，然后連同坩堝一起放入加熱爐中，熔煉成相應(yīng)的合金；

步驟3，合金薄帶或薄片的制備：

把步驟2熔煉獲得的合金熔體在甩帶機(jī)或熱軋機(jī)上制成合金薄帶或薄片；

步驟4，合金薄帶或薄片的氮化：

把步驟4制成的合金薄帶或薄片放入反應(yīng)爐中，對反應(yīng)爐抽真空，然后對反應(yīng)爐充入氮?dú)猓?dāng)反應(yīng)爐內(nèi)的氮?dú)鈮毫_(dá)到一定壓力以后，維持爐內(nèi)的氮?dú)鈮毫Σ蛔儯缓罄眉訜釥t加熱合金薄帶或薄片到600～950℃保溫氮化；

步驟5，去合金化

把氮化結(jié)束的合金薄帶或薄片，用酸浸泡，去除合金中B組分的氮化物，留下A組分的氮化物，在薄帶或薄片的B組分氮化物位置留下孔洞，從而獲得了多孔A組分的氮化物結(jié)構(gòu)，抽濾后即得到多孔的AlN或多孔的GaN薄帶或薄片；

步驟6，干燥：

把步驟5制得的多孔AlN或多孔GaN薄帶或薄片在干燥箱中于80～200℃干燥1～4小時即完成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3中薄帶或薄片的厚度不大于0.1mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟4中反應(yīng)爐內(nèi)真空度不大于0.1atm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟4中反應(yīng)爐內(nèi)的氮?dú)鈮簭?qiáng)要求不小于0.7atm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟4的加熱升溫過程中爐內(nèi)溫度由室溫到合金薄帶或薄片的熔點(diǎn)以下30℃的過程中，升溫速度不小于500℃/h；爐內(nèi)溫度由合金薄帶或薄片的熔點(diǎn)以下30℃至熔點(diǎn)之間的過程中，升溫時長不小于4h；爐內(nèi)溫度由合金薄帶或薄片的熔點(diǎn)至保溫氮化溫度過程中，升溫速度不小于100℃/h。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟5中的酸為摩爾濃度為0.1mol/L～1mol/L的稀鹽酸或稀硫酸。