[發明專利]太陽能電池長膜異常導致的彩虹片的處理方法無效
| 申請號: | 201110336278.2 | 申請日: | 2011-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN102412340A | 公開(公告)日: | 2012-04-11 |
| 發明(設計)人: | 王偉兵;陳敏智;趙東 | 申請(專利權)人: | 浙江寶利特新能源股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;B08B3/10 |
| 代理公司: | 臺州市方圓專利事務所 33107 | 代理人: | 張智平;蔡正保 |
| 地址: | 317521 浙江省臺*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 異常 導致 彩虹 處理 方法 | ||
技術領域
本發明屬于電學技術領域,涉及一種太陽能電池,特別是一種太陽能電池長膜異常導致的彩虹片的處理方法。?
背景技術
隨著人們環保意識的日益提高,國際、國內對于可再生能源,特別是對太陽能的開發利用越來越受到人們的廣泛關注。光伏發電的成本在過去的30年里下降了2個數量級,特別是在1990年代后半期起進入了快速發展的階段,而在過去的5年時間里光伏產業更保持了每年40%~50%的增長,成為一個快速發展的高技術新興行業。雖然發展速度如此之快,但是目前太陽能發電在整個社會能源結構中的比例還是比較小,不到1%。因此,太陽能電池的發展潛力極其巨大,市場前景廣闊。?
目前在工業生產和市場上處于主導地位的太陽能電池是基于晶體硅(單晶硅和多晶硅)的第一代太陽能電池,其光電轉換效率高(可分別達到24.7%和20.3%),技術也比較成熟,產量占了整個太陽能電池90%左右。但是由于該類產品需要消耗大量昂貴的高純晶體硅原料,原料成本占了總成本60%~80%,導致價格居高不下,已成為光伏產業發展及太陽能電池推廣應用的主要障礙。?
為了節省原材料,有效降低太陽能電池的成本,基于薄膜技術的第二代太陽能電池逐漸展示出巨大優勢和發展潛力,成為近些年來太陽能電池領域的研究熱點。目前的第二代太陽能電池都是制作在P型襯底的硅片上,而為了增加對入射太陽光的吸收,提高太陽能電池的光電轉換頻率,都必須在電池的N層表面生長一層合適厚度的減反射膜,以增加對入射陽光的吸收,對利用該?種技術制作的太陽能電池,其光電轉換效率都在16%以上。而目前行業內的產業化生產工藝都是采用PECVD等離子體化學氣相淀積的方式,將硅片置放于等離子體場中,從而在硅片表面直接淀積一層薄膜,這是一種常規的成熟的減反膜生長工藝。?
但是在太陽能電池生長減反膜工藝過程中,由于種種原因經常會出現長膜異常的彩虹片,處理起來非常麻煩。常規的處理方法是常溫下用HF浸泡,處理時間短則4~6小時,長則2~3天,甚至好幾天都清洗不干凈,嚴重的反而還會使盛放彩虹片的花籃遭受腐蝕,最終處理不好的片子只能報廢,從而使得生產成本增加。?
發明內容
本發明的目的是針對現有的技術存在上述問題,提出了一種操作工作簡單、成本低廉、環境優好、性能穩定、清洗時間短、清洗效果好、而且成品率高的太陽能電池長膜異常導致的彩虹片的處理方法。?
本發明的目的可通過下列技術方案來實現:一種太陽能電池長膜異常導致的彩虹片的處理方法,其工藝步驟為:a、調配浸泡用的清洗液;b、對清洗液進行加熱;c、將需要返工的彩虹片浸泡在清洗液中;d、沖洗:將浸泡后的彩虹片取出放在去離子水中沖洗;e、甩干;f、對甩干后的成品電池片重新進行PECVD工藝長膜。?
在上述的太陽能電池長膜異常導致的彩虹片的處理方法中,所述的清洗液包含HF。?
在上述的太陽能電池長膜異常導致的彩虹片的處理方法中,所述的清洗液由H2O∶HF按照9∶1~11∶1的體積比調配而成。?
在上述的太陽能電池長膜異常導致的彩虹片的處理方法中,所述的清洗液的溫度加熱至60~80℃。?
在上述的太陽能電池長膜異常導致的彩虹片的處理方法中,?所述的彩虹片浸泡在清洗液中的時間為10~20分鐘。?
在上述的太陽能電池長膜異常導致的彩虹片的處理方法中,所述的浸泡后的彩虹片在去離子水中沖洗20~35分鐘。?
在上述的太陽能電池長膜異常導致的彩虹片的處理方法中,所述的去離子水為電阻率在15MΩ以上的高純水。?
在上述的太陽能電池長膜異常導致的彩虹片的處理方法中,所述的甩干工藝為通過太陽能電池片甩干機進行的機械式甩干。?
在上述的太陽能電池長膜異常導致的彩虹片的處理方法中,所述的機械式甩干的轉速在450~50R/min,時間在200~300秒。?
與現有技術相比,本發明具有以下的優點:1、用時短,由于將以往常溫狀態的HF溶液進行加熱處理,使得反應速度加快,整個清洗過程在30分鐘之內即可完成;2、操作過程簡單方便,整個工藝流程僅需要注意HF溶液的反應溫度,以及彩虹片在溶液中浸泡的去膜情況,其他工藝時間根據長膜情況做略微的適當調整即可;3、清洗效果好,加熱后的HF溶液能夠有效地減小反應勢壘,即更容易地打開異常膜內化合物的化學鍵,使清洗反應更加的快速和完全;4、成本低廉,反應時間短,節約工時及人工成本,同時能有效地對長膜異常的電池片進行重新利用,避免浪費。?
具體實施方式
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江寶利特新能源股份有限公司,未經浙江寶利特新能源股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110336278.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種數字預失真方法及裝置
- 下一篇:一種用于金屬設備柜抗蝕的系統
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





