[發(fā)明專利]一種三維芯片及其組合結(jié)構(gòu)和制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110336147.4
• 申請日: 2011-10-28
• 公開（公告）號: CN103094227A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉靜
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所
• 主分類號: H01L23/44
• 分類號: H01L23/44;H01L23/31;H01L21/50
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種三維芯片，其特征在于，包括：基底、內(nèi)圍欄、元件和液態(tài)金屬；所述元件設(shè)置在所述基底與內(nèi)圍欄所構(gòu)成的封閉的內(nèi)腔體中且固定在所述基底上；所述液態(tài)金屬填充于所述內(nèi)腔體中。

2.如權(quán)利要求1所述的三維芯片，其特征在于，所述元件的表面設(shè)置有絕緣層。

3.如權(quán)利要求1所述的三維芯片，其特征在于，所述三維芯片包括至少一個(gè)所述元件。

4.如權(quán)利要求1所述的三維芯片，其特征在于，所述圍欄高于所述元件。

5.如權(quán)利要求1所述的三維芯片，其特征在于，所述液態(tài)金屬為鎵、鈉、鉀或者水銀。

6.如權(quán)利要求5所述的三維芯片，其特征在于，所述液態(tài)金屬中混有0～99wt％的鎵銦錫合金或者鈉鉀合金，或者混有直徑介于10nm至900nm的導(dǎo)熱顆粒或者磁性顆粒。

7.如權(quán)利要求1所述的三維芯片，其特征在于，所述基底或者圍欄的材料為銅、陽極氧化鋁、金剛石、不銹鋼、石墨、硅、有機(jī)玻璃或者聚合物材質(zhì)。

8.一種三維芯片的組合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述組合結(jié)構(gòu)包括：外圍欄、基底、元件和液態(tài)金屬；所述外圍欄圍成封閉的外腔體；所述基底分層設(shè)置在所述外腔體中；所述元件設(shè)置在所述外腔體中，并且設(shè)置在所述基底上；所述液態(tài)金屬填充于所述外腔體中。

9.如權(quán)利要求8所述的組合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述組合結(jié)構(gòu)還包括內(nèi)圍欄；所述內(nèi)圍欄設(shè)置在所述外腔體中，并且與所述基底連接構(gòu)成內(nèi)腔體，所述元件位于所述內(nèi)腔體中；所述液態(tài)金屬填充于所述內(nèi)腔體中。

10.一種三維芯片的制造方法，其特征在于，包括步驟：

A：將元件設(shè)置在基底上，并且在所述元件表面設(shè)置絕緣層；

B：將內(nèi)圍欄固定在所述基底上，所述元件位于所述基底和內(nèi)圍欄所構(gòu)成的內(nèi)腔體中；

C：從所述內(nèi)圍欄的注液孔中注入液態(tài)金屬，所述內(nèi)腔體中空氣從所述內(nèi)圍欄的排氣孔中排出；

D：待液態(tài)金屬充滿所述內(nèi)腔體后，封閉所述內(nèi)圍欄的注液孔和排氣孔。