[發明專利]一種摻釹溴化鑭單晶閃爍體及其制備方法無效
| 申請號: | 201110335788.8 | 申請日: | 2011-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN102501446A | 公開(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發明(設計)人: | 高鑫;何元金 | 申請(專利權)人: | 清華大學 |
| 主分類號: | B32B9/04 | 分類號: | B32B9/04;B32B15/20;B32B17/00;B32B27/04;B32B27/30;B32B7/12;C09K11/85;G01T1/202;C30B11/00;C30B29/12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 摻釹溴化鑭單晶 閃爍 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明屬于無機閃爍體射線探測技術領域,具體涉及一種摻釹溴化鑭單晶閃爍體及其制備方法。
背景技術
以LaBr3:Ce3+為代表的稀土摻雜鹵化鑭單晶是21世紀初興起的新型無機閃爍體,其優異的能量特性和時間特性要顯著優于傳統閃爍體NaI(Tl)和CsI(Na)等[1]。但這類晶體也存在一些固有缺陷,如生長過程易開裂、易潮解、發光區域主要位于紫外、對低能射線響應不佳等[2]。LaBr3:Ce3+閃爍體紫外熒光發射譜主發射峰為355nm和385nm,均位于紫外區域。能否對發光區域做出改善,使其向長波方向延伸,以更好地與長波響應的光電倍增管相匹配,是一個亟待解決的問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種摻釹溴化鑭單晶閃爍體。
本發明的目的還在于提供一種摻釹溴化鑭單晶閃爍體的制備方法。
一種摻釹溴化鑭單晶閃爍體,摻釹溴化鑭晶體的上面和側面纏繞有光反射材料,光反射材料外部包裹鋁皮,底面鋪設石英玻璃片,石英玻璃片與摻釹溴化鑭晶體和鋁皮間通過透明液體膠粘牢;所述摻釹溴化鑭晶體中NdBr3的質量百分比為2%。
所述光反射材料為聚四氟乙烯。
所述石英玻璃片的厚度為0.1-1mm。
一種摻釹溴化鑭單晶閃爍體的制備方法,按照如下步驟進行:
(1)在干燥的手套箱中,將LaBr3和NdBr3多晶混合后移入石英坩堝并抽真空封裝;NdBr3的加入量為LaBr3和NdBr3總質量的2%;
(2)采用布里奇曼法生長完成并切割、研磨、拋光后,暫時儲存在液體石蠟中,得到摻釹溴化鑭晶體,準備進行晶體封裝;
(4)將鋁皮、石英玻璃片及聚四氟乙烯膠帶在恒溫150℃的烘箱中烘烤兩天以上,迅速轉移至濕度4%以下的手套箱中待用;
(5)在干燥的手套箱中,將摻釹溴化鑭晶體從液體石蠟中拿出,用聚四氟乙烯膠帶纏緊并置于鋁皮中后,底面用透明膠水與厚度小于1mm的石英玻璃薄片粘牢。
本發明的有益效果:本發明的閃爍體能對LaBr3:Ce3+發光區域做出改善,使其向長波方向延伸,以更好地與長波響應的光電倍增管相匹配。
附圖說明
圖1為本發明摻釹溴化鑭單晶閃爍體實物圖。
圖2為137Cs激發的LaBr3:2%NdBr3伽瑪能譜圖。
圖3為LaBr3:2%NdBr3的能量線性情況。
圖4為LaBr3:2%NdBr3單晶熒光譜。
圖5為本發明摻釹溴化鑭單晶閃爍體結構示意圖;
圖中,1-放射源、2-摻釹溴化鑭晶體、3-聚四氟乙烯膠帶、4-鋁皮、5-石英玻璃片。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施例對本發明做進一步說明。
實施例1摻釹溴化鑭單晶閃爍體的制備
摻釹溴化鑭單晶閃爍體的制備方法,按照如下步驟進行:
(1)在干燥的手套箱中,將LaBr3與NdBr3按質量比為98∶2混合后移入石英坩堝并抽真空封裝;
(2)采用布里奇曼法生長完成并切割、研磨、拋光后,暫時儲存在液體石蠟中,得到摻釹溴化鑭晶體,準備進行晶體封裝。布里奇曼法生長過程為:單晶生長爐在豎直方向上分為兩個溫區,上半部為高溫區,一般應高于原料熔點50℃以上,以使原料易于吸熱熔化,下半部為低溫區,低于原料熔點。盛裝原料并抽真空密封的坩堝首先在上溫區停留,使原料充分熔化并混合均勻。然后坩堝緩慢下降,使坩堝底部位于低溫區,底部原料凝固成多晶,即自發形成晶核。然后整個坩堝緩慢下降,使上部熔融的原料通過具有一定溫度梯度的固液界面,從而長成單晶。閃爍體單晶以兩個端面拋光,清澈透亮的圓柱體為最佳,若由于生長、加工等原因,無法獲得理想規格尺寸的晶體,至少應使兩個端面拋光,并且盡量使側面圓滑過渡,以減少光子在側面反射時的損失。
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