[發明專利]一種半導體器件制作方法無效
| 申請號： | 201110335733.7 | 申請日： | 2011-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN102339793A | 公開（公告）日： | 2012-02-01 |
| 發明（設計）人： | 姬峰;毛智彪;胡友存 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 制作方法 | ||
1.一種半導體器件制作方法，包括：
在半導體襯底上依次沉積介電層、介電保護層和金屬硬掩膜層；
在所述金屬硬掩膜層上形成第一圖案化光刻膠層；
以所述第一圖案化光刻膠層為掩膜，干法刻蝕所述金屬硬掩膜層以及部分厚度的介電保護層，形成初始金屬導線槽；
去除所述第一圖案化光刻膠層；
在所述金屬硬掩膜層上形成第二圖案化光刻膠層；
以所述第二圖案化光刻膠層為掩膜，干法刻蝕所述金屬硬掩膜層以及部分厚度的介電保護層，形成初始冗余金屬槽，所述初始冗余金屬槽的深度小于所述初始金屬導線槽的深度；
去除所述第二圖案化光刻膠層；
干法刻蝕所述介電保護層和介電層，形成金屬導線槽和冗余金屬槽，所述冗余金屬槽的深度小于所述金屬導線槽的深度；
在所述金屬硬掩膜層上以及金屬導線槽和冗余金屬槽內形成銅金屬層；
執行化學機械研磨工藝，直至暴露出所述介電層的表面，以在所述金屬導線槽內形成金屬導線，并在所述冗余金屬槽內形成冗余金屬線。
2.如權利要求1所述的半導體器件制作方法，其特征在于，所述金屬硬掩膜層的材質為鈦、氮化鈦、氧化鈦、鉭、氮化鉭、氧化鉭中的一種或多種。
3.如權利要求1所述的半導體器件制作方法，其特征在于，所述金屬硬掩膜層的厚度為1納米～1000納米。
4.如權利要求1所述的半導體器件制作方法，其特征在于，先形成初始金屬導線槽，然后再形成初始冗余金屬槽。
5.如權利要求1所述的半導體器件制作方法，其特征在于，先形成初始冗余金屬槽，然后再形成初始金屬導線槽。
6.如權利要求1至5中任意一項所述的半導體器件制作方法，其特征在于，在所述半導體襯底上沉積介電層之前，在所述半導體襯底上沉積刻蝕阻擋層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
