[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件制作方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110335731.8
• 申請(qǐng)日: 2011-10-29
• 公開（公告）號(hào): CN102361019A
• 公開（公告）日: 2012-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姬峰;毛智彪;胡友存
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種半導(dǎo)體器件制作方法，包括：

在半導(dǎo)體襯底上依次沉積介電層、介電保護(hù)層和金屬硬掩膜層；

在所述金屬硬掩膜層上形成第一圖案化光刻膠層；

以所述第一圖案化光刻膠層為掩膜，干法刻蝕所述金屬硬掩膜層以及部分 厚度的介電保護(hù)層，形成初始金屬導(dǎo)線槽；

去除所述第一圖案化光刻膠層；

在所述金屬硬掩膜層上形成第二圖案化光刻膠層；

以所述第二圖案化光刻膠層為掩膜，干法刻蝕所述金屬硬掩膜層以及部分 厚度的介電保護(hù)層，形成初始冗余金屬槽，所述初始冗余金屬槽的深度小于所 述初始金屬導(dǎo)線槽的深度；

去除所述第二圖案化光刻膠層；

在所述金屬硬掩膜層上形成第三圖案化光刻膠層；

以所述第三圖案化光刻膠層為掩膜，干法刻蝕所述初始金屬導(dǎo)線槽下方的 介電保護(hù)層和部分厚度的介電層，形成初始通孔；

去除所述第三圖案化光刻膠層；

干法刻蝕所述介電保護(hù)層和介電層，形成金屬導(dǎo)線槽、冗余金屬槽和通孔， 所述通孔與所述金屬導(dǎo)線槽連通且暴露出所述半導(dǎo)體襯底的表面；

在金屬硬掩膜層上以及金屬導(dǎo)線槽、冗余金屬槽和通孔內(nèi)形成銅金屬層；

執(zhí)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝，直至冗余金屬槽內(nèi)的銅金屬層被完全去除，以在 所述金屬導(dǎo)線槽和通孔內(nèi)形成金屬導(dǎo)線。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制作方法，其特征在于，所述金屬硬掩 膜層的材質(zhì)為鈦、氮化鈦、氧化鈦、鉭、氮化鉭、氧化鉭中的一種或多種。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制作方法，其特征在于，所述金屬硬掩 膜層的厚度為1納米～1000納米。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制作方法，其特征在于，先形成初始金 屬導(dǎo)線槽，然后再形成初始冗余金屬槽。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制作方法，其特征在于，先形成初始冗 余金屬槽，然后再形成初始金屬導(dǎo)線槽。

6.如權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件制作方法，其特征在于， 在所述半導(dǎo)體襯底上沉積介電層之前，在所述半導(dǎo)體襯底上沉積刻蝕阻擋層。