[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110335666.9
• 申請(qǐng)日: 2011-10-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102347268A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顧靖
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762;H01L21/318
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底中形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)用于界定偽有源區(qū)和有源區(qū)；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成阻擋層，所述偽有源區(qū)的上表面與所述阻擋層上表面之間的距離為第一厚度，所述偽有源區(qū)的橫向?qū)挾刃∮诘谝缓穸鹊?.4倍。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述阻擋層的材料包括氮化硅。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，還包括：在所述半導(dǎo)體襯底中形成有源區(qū)，所述有源區(qū)的上表面面積和所述偽有源區(qū)的上表面面積之和與所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的上表面面積之比的范圍包括：0.8～1∶0.8～1。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述阻擋層的沉積厚度范圍包括：300～5000

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，還包括：在形成所述阻擋層之前，在所述半導(dǎo)體襯底上形成氧化物層。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，還包括：在形成所述阻擋層之后，在所述有源區(qū)上的阻擋層內(nèi)形成通孔，在所述通孔內(nèi)形成填充介質(zhì)層，以所述阻擋層為刻蝕停止層，去除所述阻擋層上的填充介質(zhì)層。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述填充介質(zhì)層的材料包括多晶硅層或氧化物層。

8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，還包括：在去除所述阻擋層上的填充介質(zhì)層之后，去除所述阻擋層。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，采用熱磷酸工藝去除所述阻擋層。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積方法形成所述阻擋層。