[發(fā)明專利]一種基于MEMS電容電感移相單元的開(kāi)關(guān)線型移相器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110335347.8 | 申請(qǐng)日： | 2011-10-28 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102509816A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-06-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉澤文;李玲 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 清華大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01P1/18 | 分類號(hào)： | H01P1/18 |
| 代理公司： | 西安智大知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 61215 | 代理人： | 賈玉健 |
| 地址： | 100084 北京市海淀區(qū)1*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 mems 電容 電感 單元 開(kāi)關(guān) 線型 移相器 | ||
1.一種基于MEMS電容電感移相單元的開(kāi)關(guān)線型移相器，每個(gè)移相單元由兩個(gè)對(duì)稱的分單元連接組成，其特征在于，
每個(gè)分單元包括一個(gè)T型結(jié)(2)，T型結(jié)(2)的水平端連接信號(hào)的輸入輸出端(11)，T型結(jié)(2)的上端連接第一MEMS開(kāi)關(guān)(101)的觸點(diǎn)端，T型結(jié)(2)的下端連接第二MEMS開(kāi)關(guān)(102)的觸點(diǎn)端，第一MEMS開(kāi)關(guān)(101)的錨點(diǎn)端接MEMS電容電感移相傳輸線(4)，MEMS電容電感移相傳輸線(4)的另一端連接第一傳輸線直角轉(zhuǎn)角(501)，第二MEMS開(kāi)關(guān)(102)的錨點(diǎn)端連接參考移相位共面波導(dǎo)傳輸線(3)，參考移相位共面波導(dǎo)傳輸線(3)的另一端連接第二傳輸線直角轉(zhuǎn)角(502)；
兩個(gè)分單元之間通過(guò)第一傳輸線直角轉(zhuǎn)角(501)和第二傳輸線直角轉(zhuǎn)角(502)連接；
第一MEMS開(kāi)關(guān)電極(801)通過(guò)第一隔離電阻(901)與第一引線(701)連接兩個(gè)分單元的第一MEMS開(kāi)關(guān)(101)的下電極；
第二MEMS開(kāi)關(guān)電極(802)通過(guò)第二隔離電阻(902)與第二引線(702)連接兩個(gè)分單元的第二MEMS開(kāi)關(guān)(102)的下電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MEMS電容電感移相單元的開(kāi)關(guān)線型移相器，其特征在于，所述移相單元設(shè)置在介質(zhì)襯底(6)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MEMS電容電感移相單元的開(kāi)關(guān)線型移相器，其特征在于，所述T型結(jié)(2)上布置有呈方形的四個(gè)空氣橋(10)，用于抑制共面波導(dǎo)地線不對(duì)稱而產(chǎn)生的高階模式。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于MEMS電容電感移相單元的開(kāi)關(guān)線型移相器，其特征在于，所述T型結(jié)(2)采用臺(tái)階補(bǔ)償法補(bǔ)償空氣橋(10)帶來(lái)的額外電容。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于MEMS電容電感移相單元的開(kāi)關(guān)線型移相器，其特征在于，所述T型結(jié)(2)的水平端設(shè)置一段高阻傳輸線，補(bǔ)償T型結(jié)(2)沒(méi)有信號(hào)通過(guò)端的開(kāi)路短截線所產(chǎn)生的電容。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MEMS電容電感移相單元的開(kāi)關(guān)線型移相器，其特征在于，所述第一傳輸線直角轉(zhuǎn)角(501)和第二傳輸線直角轉(zhuǎn)角(502)上分別設(shè)置有兩個(gè)空氣橋(10)，用于抑制共面波導(dǎo)地線不對(duì)稱而產(chǎn)生的高階效應(yīng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于MEMS電容電感移相單元的開(kāi)關(guān)線型移相器，其特征在于，所述第一傳輸線直角轉(zhuǎn)角(501)和第二傳輸線直角轉(zhuǎn)角(502)采用臺(tái)階補(bǔ)償法補(bǔ)償空氣橋(10)帶來(lái)的額外電容。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MEMS電容電感移相單元的開(kāi)關(guān)線型移相器，其特征在于，所述MEMS電容電感移相傳輸線(4)基于共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，MEMS電感位于中心信號(hào)線處，橋電容置于電感之上，兩端固定在兩側(cè)地線上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MEMS電容電感移相單元的開(kāi)關(guān)線型移相器，其特征在于，所述參考移相位共面波導(dǎo)傳輸線(3)為一段普通的共面波導(dǎo)線，由兩側(cè)地線及中心信號(hào)線構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MEMS電容電感移相單元的開(kāi)關(guān)線型移相器，其特征在于，由所述多個(gè)移相單元級(jí)聯(lián)構(gòu)成多位移相器。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于清華大學(xué)，未經(jīng)清華大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110335347.8/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
