[發明專利]TFT陣列基板的制造方法、TFT陣列基板和液晶顯示器

有效

• 申請號: 201110335280.8
• 申請日: 2011-10-28
• 公開（公告）號: CN102646631A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 郝力光;劉宏宇
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1368
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 羅建民;陳源

1.一種TFT陣列基板的制造方法，包括：

在基板上形成柵電極；

在柵電極上形成柵電極絕緣層；

在柵電極絕緣層上形成有源層；

形成半導體摻雜層；以及

形成源漏金屬薄膜；

其特征在于，在形成半導體摻雜層之前在有源層上要形成溝道區的位置上形成溝道區保護結構，以防止后續形成的半導體摻雜層接觸溝道區。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述溝道區保護結構在有源層上的投影與溝道區重合。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述溝道區保護結構為倒置的梯形體，其上底的長度和寬度分別等于溝道區的長度(L)和寬度(W)，以及其下底與溝道區接觸并且其長度和寬度分別小于上底的長度和寬度。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述溝道區保護結構由光刻膠制備。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述有源層由非晶硅材料制成。

6.一種根據權利要求1-5之一所述的方法制造的TFT陣列基板。

7.一種液晶顯示器，包括權利要求6所述的TFT陣列基板。