[發(fā)明專利]PECVD法制備雙面異質結太陽能電池的團簇式設備和工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110335191.3 | 申請日: | 2011-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN103094402A | 公開(公告)日: | 2013-05-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 郭群超;王凌云;柳琴;張愿成;張瀅清;李紅波 | 申請(專利權)人: | 上海太陽能工程技術研究中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;C23C16/44 |
| 代理公司: | 上海科盛知識產(chǎn)權代理有限公司 31225 | 代理人: | 楊元焱 |
| 地址: | 200241 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | pecvd 法制 雙面 異質結 太陽能電池 團簇式 設備 工藝 | ||
1.一種PECVD法制備雙面異質結太陽能電池的團簇式設備,包括沉積腔室、硅片承載架、氣路控制系統(tǒng)、電控系統(tǒng)及真空機組,沉積腔室分別與氣路控制系統(tǒng)、電控系統(tǒng)及真空機組連接,電控系統(tǒng)與氣路控制系統(tǒng)連接;硅片承載架用于承載硅片進出沉積腔室;其特征在于:
所述的沉積腔室包括團簇式設置的進出片室、預熱和中央傳送室、本征層沉積室、p型沉積室和n型沉積室,預熱和中央傳送室設置在中間,進出片室、本征層沉積室、p型沉積室和n型沉積室分別連接在預熱和中央傳送室的四周;在本征層沉積室、p型沉積室和n型沉積室內分別設有上電極和下電極;在本征層沉積室的上電極和下電極上分別連接有進氣口;在p型沉積室的上電極上連接有進氣口;在n型沉積室的下電極上連接有進氣口;在預熱和中央傳送室內設有機械手傳送機構。
2.根據(jù)權利要求1所述的PECVD法制備雙面異質結太陽能電池的團簇式設備,其特征在于:所述的本征層沉積室內設有上下移動機構,該上下移動機構與設置在本征層沉積室外的驅動機構連接,上下移動機構在驅動機構的驅動下作上下移動并可帶動硅片承載架上下移動。
3.一種PECVD法制備雙面異質結太陽能電池的工藝,其特征在于,采用PECVD法制備雙面異質結太陽能電池的團簇式設備實施,包括以下步驟:
A、將清洗后的硅片裝載在承載架上,放入進出片室,關上進出片室的活動門并抽真空;
B、待真空度達到一定數(shù)值后,將承載架傳送到預熱和中央傳送室,并設置溫度,進行預加熱;
C、預熱半個小時后,將承載架傳送到本征層沉積室,并抽高真空,然后將承載架移動到與下電極靠在一起,從上電極通入氣體源,啟動射頻電源,對硅片的正面進行本征層的沉積,完成對硅片正面的沉積后,將承載架移至與上電極靠在一起,從下電極通入氣體源,啟動射頻電源,對硅片的背面進行本征層沉積,完成對硅片背面的沉積;
D、完成雙面本征層沉積后,將承載架傳送到p型沉積室,并抽高真空,讓承載架與下電極靠在一起,從上電極通入氣體源,啟動射頻電源,對硅片正面進行p型非晶硅薄膜的沉積;
E、完成p型非晶硅薄膜的沉積后,將承載架傳送到n型沉積室,并抽高真空,讓承載架與上電極靠在一起,從下電極通入氣體源,啟動射頻電源,對硅片背面進行n型非晶硅薄膜的沉積;
F、完成n型非晶硅薄膜的沉積后,將承載架傳送到進出片室,待溫度降至室溫后,取出硅片,關門抽真空;
G、后續(xù)分別利用磁控濺射設備在硅片上雙面制備ITO薄膜,并分別在其上蒸發(fā)銀柵線電極,完成雙面異質結太陽能電池的制備。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





