[發明專利]顯示面板的薄膜晶體管及其制作方法

有效

• 申請號: 201110335092.5
• 申請日: 2011-10-26
• 公開（公告）號: CN102403364A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 陳崇道;林武雄;陳勃學
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;祁建國

1.一種薄膜晶體管，系形成于一基板上，該薄膜晶體管包括：

一柵極，位于該基板上；

一柵極絕緣層，位于該柵極與該基板上；

一第一保護圖案與一第二保護圖案，位于該柵極上方的該柵極絕緣層上；

一源極，位于該柵極絕緣層與該第一保護圖案上；

一漏極，位于該柵極絕緣層與該第二保護圖案上；

一半導體通道層，部分位于該源極與該漏極間的該柵極絕緣層上，且部分位于該源極與該漏極上；以及

一鈍化層，位于該半導體通道層、該源極與該漏極上；

其中于該源極往該漏極的一延伸方向上，該第一保護圖案的長度小于該源極的長度，且該第二保護圖案的長度小于該漏極的長度。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第一保護圖案與該源極的長度比介于0.1至0.5之間。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第二保護圖案與該漏極的長度比介于0.1至0.5之間。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，于該延伸方向的一垂直方向上，該第一保護圖案的一邊界與該源極的一邊界切齊，且該第二保護圖案的一邊界與該漏極的一邊界切齊。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第一保護圖案與該第二保護圖案的材料包括銦錫氧化物、銦鎵鋅氧化物、銦鋅氧化物、氧化銦或氧化鋅。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，進一步包括一第三保護圖案，位于該半導體通道層與該鈍化層之間，其中該第三保護圖案與該半導體通道層對應設置。

7.如權利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第三保護圖案的材料包括氮化硅、氧化硅、氧化鋁、氧化釔或氧化鈦。

8.一種制作薄膜晶體管的方法，包括：

提供一基板；

形成一柵極于該基板上；

形成一柵極絕緣層于該柵極與該基板上；

形成一第一保護圖案、一第二保護圖案、一源極與一漏極于該柵極絕緣層上，其中該源極系形成于該第一保護圖案上，且該漏極系形成于該第二保護圖案上；

形成一半導體通道層于該源極與該漏極以及該源極與該漏極間的該柵極絕緣層上；以及

形成一鈍化層于該半導體通道層、該源極與該漏極上；

其中于該源極往該漏極的一延伸方向上，該第一保護圖案的長度小于該源極的長度，且該第二保護圖案的長度小于該漏極的長度。

9.如權利要求8所述的制作薄膜晶體管的方法，其特征在于，形成該第一保護圖案、該第二保護圖案、該源極以及該漏極的方法包括：

形成一第一保護層于該柵極絕緣層上；

圖案化該第一保護層；

形成一金屬層于該柵極絕緣層與圖案化后的該第一保護層上；

圖案化該金屬層以形成該源極與該漏極；以及

去除未被該源極與該漏極覆蓋的圖案化后的該第一保護層，以形成該第一保護圖案與該第二保護圖案。

10.如權利要求9所述的制作薄膜晶體管的方法，其特征在于，上述圖案化該金屬層的步驟系以干蝕刻的方式進行。

11.如權利要求9所述的制作薄膜晶體管的方法，其特征在于，上述去除未被該源極與該漏極覆蓋的圖案化后的該第一保護層的步驟系以濕蝕刻的方式進行。

12.如權利要求8所述的制作薄膜晶體管的方法，其特征在于，該第一保護圖案與該源極的長度比介于0.1至0.5之間。

13.如權利要求8所述的制作薄膜晶體管的方法，其特征在于，該第二保護圖案與該漏極的長度比介于0.1至0.5之間。

14.如權利要求8所述的制作薄膜晶體管的方法，其特征在于，于該延伸方向的一垂直方向上，該第一保護圖案的一邊界與該源極的一邊界大體上切齊，且該第二保護圖案的一邊界與該漏極的一邊界大體上切齊。

15.如權利要求8所述的制作薄膜晶體管的方法，其特征在于，該第一保護圖案與該第二保護圖案的材料包括銦錫氧化物、銦鎵鋅氧化物、銦鋅氧化物、氧化銦或氧化鋅。