[發明專利]超分辨光盤的掩膜層及其制備方法

無效

• 申請號: 201110334865.8
• 申請日: 2011-10-28
• 公開（公告）號: CN102411941A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 趙石磊;耿永友;施宏仁
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海光學精密機械研究所
• 主分類號: G11B7/24
• 分類號: G11B7/24;G11B7/241;C23C14/35;C23C14/14
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 張澤純

1.一種超分辨光盤的掩膜層，其特點在于該掩膜層是Ag摻雜Si的復合薄膜，該復合薄膜中Si的含量為13.8mol％～15.3mol％，該掩膜層(I)厚度為30～50nm。

2.權利要求1所述的超分辨光盤的掩膜層的制備方法，其特征在于該方法包括下列步驟：

①光盤盤片和靶材的安裝：

將所述的光盤(II)刻有信息面的一面裝在盤片托上對著靶材，然后將盤片托夾持在磁控濺射鍍膜機的真空腔里的盤片座上；選定好濺射所用的Ag靶和Si靶并固定在磁控濺射鍍膜機的真空腔里的靶基座上，調節好盤片座和靶材的位置和距離，關閉真空腔蓋，開始抽真空，直至真空腔內壓力小于4χ10^-4Pa；

②濺射Ag摻雜Si復合薄膜：

采用Ar氣作為工作氣體，通過氣體流量計控制Ar氣的流量為80sccm，同時調節磁控濺射儀閘板閥至工作氣壓為0.85Pa，分別調節磁控濺射儀的直流和射頻電源，控制Ag靶和Si靶上的濺射功率，利用計算機控制程序控制濺射時間進行濺射，使復合薄膜中Si的含量為13.8mol％～15.3mol％，該掩膜層厚度為30～50nm；濺射完成后，依次關閉射頻電源、氣體流量計，打開閘板閥抽氣10分鐘后關閉閘板閥，放氣，打開磁控濺射儀的真空腔，取出制備的具有單層Ag摻雜Si復合薄膜的盤片。