[發明專利]制作微機電系統(MEMS)裝置的方法

無效

• 申請號: 201110334782.9
• 申請日: 2011-10-24
• 公開（公告）號: CN102452638A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 利薩·H·卡林;大衛·W·基爾斯特;劉連軍;劉威;魯本·B·蒙特茲;羅伯特·F·施泰梅爾
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 劉光明;穆德駿

1.一種形成MEMS裝置的方法，所述方法包括：

在襯底上方形成犧牲層；

在所述犧牲層上方形成金屬層；

形成覆于金屬層之上的保護層；

蝕刻所述保護層和所述金屬層以形成具有在所述金屬層的保留部上方形成的保護層的保留部的結構；以及

蝕刻所述犧牲層以形成所述MEMS裝置的可移動部，其中所述保護層的保留部在蝕刻所述犧牲層以形成所述MEMS裝置的可移動部期間保護所述金屬層的保留部。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，選擇用于形成所述保護層的材料以及所述保護層的厚度，使得在蝕刻所述犧牲層以形成所述MEMS裝置的可移動部的步驟之后，所述保護層的保留部的殘余部保留在所述金屬層的保留部上方。

3.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

在蝕刻所述保護層和所述金屬層以形成所述結構之后，在所述保護層的保留部上方形成絕緣層。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述結構包含鍵合焊盤結構。

5.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

在所述犧牲層上方形成導電層；以及

在蝕刻所述犧牲層以形成所述MEMS裝置的可移動部之前，蝕刻所述導電層以形成所述可移動部的特征。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述保護層包括由富硅氮化硅、氮化鈦、鈦和無定形碳化物組成的組中之一。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述保護層包括富硅氮化硅。

8.一種形成MEMS裝置的方法，所述方法包括：

在所述襯底上方形成犧牲層；

在所述犧牲層上方形成金屬層；

蝕刻所述金屬層以形成具有所述金屬層的保留部的結構；

形成覆于至少金屬層的保留部之上的保護層；以及

蝕刻所述犧牲層以形成所述MEMS裝置的可移動部，其中所述保護層在蝕刻所述犧牲層以形成所述MEMS裝置的可移動部期間保護所述金屬層的保留部。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，選擇用于形成所述保護層的材料以及所述保護層的厚度，使得在蝕刻所述犧牲層以形成所述MEMS裝置的可移動部的步驟之后，所述犧牲層的殘余部保留在所述金屬層的保留部上方。

10.根據權利要求8所述的方法，進一步包括：

在蝕刻所述保護層之前，形成覆于所述保護層之上的絕緣層。

11.根據權利要求8所述的方法，其中，所述結構包括鍵合焊盤結構。

12.根據權利要求8所述的方法，進一步包括

在所述犧牲層上方形成導電層；以及

在蝕刻所述犧牲層以形成所述MEMS裝置的可移動部之前，蝕刻所述導電層以形成可移動部的特征。

13.根據權利要求8所述的方法，其中，所述保護層包括由富硅氮化硅、氮化鈦、鈦和無定形碳化物組成的組中之一。

14.根據權利要求8所述的方法，其中，所述保護層包括富硅氮化硅。

15.一種形成MEMS裝置的方法，所述方法包括：

在襯底上方形成犧牲層；

在所述犧牲層上方形成金屬層；

形成覆于所述金屬層之上的保護層；

蝕刻所述保護層和所述金屬層以形成具有在所述金屬層的保留部上方形成的保護層的保留部的鍵合焊盤結構；

形成覆于至少所述保護層的保留部之上的絕緣層；以及

蝕刻所述犧牲層以形成所述MEMS裝置的可移動部，其中所述保護層的保留部在蝕刻所述犧牲層以形成所述MEMS裝置的可移動部期間保護至少所述金屬層的保留部的頂表面、形成所述鍵合焊盤結構以免受污染的影響。

16.根據權利要求15所述的方法，其中，選擇用于形成所述保護層的材料以及所述保護層的厚度，使得在蝕刻所述犧牲層以形成所述MEMS裝置的可移動部的步驟之后，所述犧牲層的保留部的殘余部保留在所述金屬層的保留部上方。