[發明專利]硅單晶片的殘余應力的測試方法

有效

• 申請號: 201110333964.4
• 申請日: 2011-10-27
• 公開（公告）號: CN102435361A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 徐永平;劉劍
• 申請（專利權）人: 揚州晶新微電子有限公司
• 主分類號: G01L1/22
• 分類號: G01L1/22
• 代理公司: 揚州蘇中專利事務所(普通合伙) 32222
• 代理人: 許必元

1.硅單晶片的殘余應力的測試方法，其特征是包括以下步驟：

（1）器材準備：三向應變花、應變儀和被測硅單晶片，所述三向應變花的型號為Br120-2AA，所述應變儀為YE2539高速靜態應變儀；

（2）測試準備：

（2.1）將三向應變花編號；

（2.2）將三向應變花的6根引出線用袖珍烙鐵焊接在6芯排線上；

（2.3）對已焊接好三向應變花的6芯排線的另一頭進行剝線，使端頭露出金屬線頭；

（2.4）將被測硅單晶片的背面，上、下、左、右按內、中、外三層共五行五列，用水筆預先畫好粘貼三向應變花的粘貼位置；

（2.5）用502膠逐一在粘貼位置點上502膠；

（2.6）隨即將三向應變花按粘貼位置粘貼到被測硅單晶片上，用手輕輕按壓；同時也將各連接三向應變花的6芯排線也膠固在同行或同列被測硅單晶片的對應位置；

（2.7）對所貼三向應變花作平移或旋轉調整，使三向應變花陣列縱橫及取向一致，待膠干；

（3）應力釋放前測試

（3.1）按照儀器說明，進行應變儀、三向應變花應變當量測試校準；

（3.2）將被粘貼在被測硅單晶片上的三向應變花的對應測試引出線連接

到應變儀的對應的測試端子；

（3.3）初調應變儀的電橋平衡，記錄三向應變花編號、方向角以及平衡電阻數值；

（3.4）將所有粘貼在被測硅單晶片上三向應變花的初始調零的平衡電阻數值一一對號記錄；

（4）被測硅單晶片應力釋放

（4.1）檢查步驟（3）的所有記錄的數據及其編號，確認與三向應變花對應無誤；

（4.2）采用金剛鉆刀用略架高的鋼尺在被測硅單晶片上沿三向應變花的行間或列間劃上劃斷痕，并將被測硅單晶片分離，殘余應力釋放，硅單晶圓片分離成貼有三向應變花的條狀；

（5）應力釋放后的測試

（5.1）將切割后的被測硅單晶片條上的三向應變花引出線接入應變儀；

（5.2）依次對號將應變儀的平衡電阻按步驟（3）的測試記錄數據調節在初始的平衡數值的位置；

?（5.3）記錄應變儀的非平衡輸出，或直接記錄三向應變花的應變值；

（6）進行數據處理，采用殘余應力計算公式，計算出被測硅單晶片的殘余應力的分布、大小和方向。