[發明專利]一種光柵的制備方法

有效

• 申請號: 201110333523.4
• 申請日: 2011-10-28
• 公開（公告）號: CN103091747A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 朱振東;李群慶;張立輝;陳墨
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: G02B5/18
• 分類號: G02B5/18;G03F7/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種光柵的制備方法，其包括以下步驟：

提供一基底；

形成一抗蝕材料薄膜于該基底的表面；

納米壓印并刻蝕所述抗蝕材料薄膜，得到抗蝕層；

形成一掩模層于所述基底表面，所述掩模層覆蓋所述抗蝕層以及基底通過所述抗蝕層暴露的表面；

剝離所述抗蝕層及抗蝕層表面的部分掩模層，使基底形成一具圖形化的掩模層；

采用反應離子刻蝕法刻蝕基底得到石英光柵，刻蝕過程中刻蝕氣體為四氟化碳、六氟化硫以及氬氣；以及

去除掩膜層。

2.如權利要求1所述的光柵的制備方法，其特征在于，所述基底的材料為氮化鎵、砷化鎵、藍寶石、氧化鋁、氧化鎂、硅、二氧化硅、氮化硅、碳化硅、石英或玻璃。

3.如權利要求1所述的光柵的制備方法，其特征在于，所述掩模層為具有多個平行的條形第一開口的鎘層。

4.如權利要求1所述的光柵的制備方法，其特征在于，所述刻蝕氣體的總體積流量為40Sccm至120Sccm。

5.如權利要求4所述的光柵的制備方法，其特征在于，所述刻蝕氣體的總體積流量為70Sccm。

6.如權利要求4所述的光柵的制備方法，其特征在于，四氟化碳的體積流量為1sccm至50sccm，六氟化硫的體積流量為10sccm至70sccm，氬氣的體積流量為10sccm至20sccm。

7.如權利要求6所述的光柵的制備方法，其特征在于，所述四氟化碳的體積流量為40Sccm，六氟化硫的體積流量為26Sccm，氬氣的體積流量為10Sccm。

8.如權利要求1所述的光柵的制備方法，其特征在于，所述刻蝕氣體進一步包括氧氣，所述氧氣的體積流量為0Sccm至10Sccm，所述氧氣同四氟化碳、六氟化硫以及氬氣同時通入微波等離子體系統。

9.如權利要求1所述的光柵的制備方法，其特征在于，所述刻蝕過程中的刻蝕功率為40瓦至200瓦。

10.如權利要求9所述的光柵的制備方法，其特征在于，所述刻蝕過程中的刻蝕功率為70瓦。

11.如權利要求1所述的光柵的制備方法，其特征在于，所述刻蝕過程中的刻蝕氣體的總壓強為1帕到5帕。

12.如權利要求11所述的光柵的制備方法，其特征在于，刻蝕氣體的總壓強為2帕。

13.如權利要求1所述的光柵的制備方法，其特征在于，所述抗蝕層為兩層層疊結構，一層材料為聚甲基苯烯酸甲酯，一層為二氧化硅無機類材料。

14.如權利要求1所述的光柵的制備方法，其特征在于，所述聚甲基苯烯酸甲酯層鄰近石英基底設置。

15.一種光柵的制備方法，其包括以下步驟：

提供一基底，在該基底的一表面形成一層圖形化的掩模層；

將該形成圖形化的掩模層的基底放入一微波等離子體系統中，同時通入四氟化碳、六氟化硫以及氬氣組成的刻蝕氣體，刻蝕基底形成多個凹槽；以及

去除掩模層。