[發明專利]制備III-N 體晶和自支撐III-N 襯底的方法以及III-N 體晶和自支撐III-N 襯底

有效

• 申請號: 201110332897.4
• 申請日: 2007-05-04
• 公開（公告）號: CN102358955A
• 公開（公告）日: 2012-02-22
• 發明（設計）人: G·萊比格;F·哈貝爾;S·艾希勒
• 申請（專利權）人: 弗賴貝格化合物原料有限公司
• 主分類號: C30B29/40
• 分類號: C30B29/40;C30B25/16;C30B25/18
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李帆

1.III-N體晶，其中，III表示周期表III族中的至少一種元素，選自Al、Ga和In，其中，當在

(i)平行于生長平面的，和/或

(ii)生長方向上的

平面上對所述III-N體晶進行搖擺曲線圖形掃描時，分別測量的峰值半高寬的標準偏差在情形(i)中為5％或者更低，在情形(ii)中為10％或者更低，或，

其中，當在

(i)平行于生長平面的，和/或

(ii)生長方向上的

平面上對所述III-N體晶進行顯微Raman圖形掃描時，測量的E₂-聲子的峰值半高寬的標準偏差在情形(i)中為5％或者更低，在情形(ii)中為10％或者更低。

2.根據權利要求1的III-N體晶，其中，當在

(i)平行于生長平面的，和/或

(ii)生長方向上的

平面上對所述III-N體晶進行搖擺曲線圖形掃描時，分別測量的峰值半高寬的標準偏差在情形(i)中為3％或者更低，在情形(ii)中為7.5％或者更低。

3.根據權利要求1的III-N體晶，其中，當在

(i)平行于生長平面的，和/或

(ii)生長方向上的

平面上對所述III-N體晶進行顯微Raman圖形掃描時，測量的E₂-聲子的峰值半高寬的標準偏差在情形(i)中為3％或者更低，在情形(ii)中為7.5％或者更低。

4.根據權利要求1的III-N體晶，其中，當在

(i)平行于生長平面的，和/或

(ii)生長方向上的

平面上對所述III-N體晶進行顯微Raman圖形掃描時，測量的E₂-聲子的峰值半高寬的標準偏差在情形(i)中為2％或者更低，在情形(ii)中為5％或者更低。

5.根據權利要求1的III-N體晶，所述III-N體晶具有圓形的或者接近圓形的平面內橫截面，圓形橫截面的直徑≥5cm。

6.根據權利要求1的III-N體晶，所述III-N體晶的長度≥1mm。

7.根據權利要求1的III-N體晶，所述III-N體晶的長度≥1cm。

8.根據權利要求1的III-N體晶，所述III-N體晶的長度≥3cm。

9.根據權利要求1的III-N體晶，其通過氣相外延生長。

10.根據權利要求1的III-N體晶在分離一個或多個III-N襯底中的用途。

11.自支撐III-N襯底，其中，III表示周期表III族中的至少一種元素，選自Al、Ga和In，當在平行于生長平面的平面上進行搖擺曲線圖形掃描時，測量的峰值半高寬的標準偏差為5％或者更低，或，

其中，當在

(i)平行于生長平面的，和/或

(ii)生長方向上的

平面上進行顯微Raman圖形掃描時，測量的E₂-聲子的峰值半高寬的標準偏差在情形(i)中為3％或者更低，在情形(ii)中為5％或者更低。

12.根據權利要求11的自支撐III-N襯底，其中，當在平行于生長平面的平面上進行搖擺曲線圖形掃描時，測量的峰值半高寬的標準偏差為3％或者更低。

13.根據權利要求11的自支撐III-N襯底，其中，當在

(i)平行于生長平面的，和/或

(ii)生長方向上的

平面上進行顯微Raman圖形掃描時，測量的E₂-聲子的峰值半高寬的標準偏差在情形(i)中為2％或者更低，在情形(ii)中為3％或者更低。

14.根據權利要求11的自支撐III-N襯底，所述自支撐III-N襯底具有圓形的或者接近圓形的平面內橫截面，圓形橫截面的直徑≥5cm。

15.根據權利要求11的自支撐III-N襯底在制造光電和電子設備中作為襯底的用途。