[發(fā)明專利]低位錯氮化鎵的生長方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110332793.3
• 申請日: 2011-10-28
• 公開（公告）號: CN102409406A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳奎;魏同波;閆建昌;劉喆;王軍喜;李晉閩
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號: C30B29/38
• 分類號: C30B29/38;C30B29/40;C30B25/18
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種低位錯氮化鎵的生長方法，包括如下步驟：

步驟1：取一基板，該基板包括一襯底和制作在其上的氮化鎵模板；

步驟2：用腐蝕液腐蝕氮化鎵模板的表面，在氮化鎵模板的表面形成六角微坑；

步驟3：在具有六角微坑的氮化鎵模板的表面涂覆二氧化硅凝膠，將六角微坑覆蓋，用甩膠機(jī)進(jìn)行甩膠處理；

步驟4：采用高溫?zé)Y(jié)使氮化鎵模板上的二氧化硅凝膠固化；

步驟5：用NaOH溶液處理，除去氮化鎵模板11上微坑以外的二氧化硅凝膠；

步驟6：再采用高溫?zé)Y(jié)，使六角微坑內(nèi)的二氧化硅凝膠變成晶體；

步驟7：在處理后的氮化鎵模板上外延氮化鎵材料，完成低位錯氮化鎵的生長。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低位錯氮化鎵的生長方法，其中步驟2中腐蝕液為KOH溶液，溫度為80℃，腐蝕時間為1-2min，或者腐蝕液的體積比為H₂SO₄∶H₃PO₄＝3∶1，溫度為260℃，腐蝕時間為4-8min。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低位錯氮化鎵的生長方法，其中步驟2的六角微坑的深度小于氮化鎵模板的深度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低位錯氮化鎵的生長方法，其中步驟3中甩膠處理為：用甩膠機(jī)勻膠，勻膠的轉(zhuǎn)速為500轉(zhuǎn)/min，時間為5s；再用甩膠機(jī)甩膠，甩膠的轉(zhuǎn)速為8000轉(zhuǎn)/min，時間為20s。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低位錯氮化鎵的生長方法，其中步驟4的高溫?zé)Y(jié)的溫度為600℃，使二氧化硅凝膠固化。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低位錯氮化鎵的生長方法，其中步驟5的NaOH溶液的質(zhì)量比為30％，溫度為60℃，時間為1-5min。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低位錯氮化鎵的生長方法，其中步驟6的高溫?zé)Y(jié)的溫度為1100-1300℃，使得六角微坑內(nèi)二氧化硅變成晶體，使其能在MOCVD中高溫生長。